75321S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 75321S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 709 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TP262AB

Аналог (замена) для 75321S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

75321S даташит

 0.1. Size:235K  fairchild semi
 huf75321p3 huf75321s3s.pdf pdf_icon

75321S

HUF75321P3, HUF75321S3S Data Sheet December 2001 35A, 55V, 0.034 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 35A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models achieves the

 0.2. Size:232K  fairchild semi
 hufa75321p3 hufa75321s3s hufa75321s3st.pdf pdf_icon

75321S

HUFA75321P3, HUFA75321S3S Data Sheet December 2001 35A, 55V, 0.034 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 35A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensated PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models achieves t

 9.1. Size:226K  fairchild semi
 hufa75321d3 hufa75321d3s.pdf pdf_icon

75321S

HUFA75321D3, HUFA75321D3S Data Sheet December 2001 20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 20A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models achieves

 9.2. Size:224K  fairchild semi
 hufa75321d3 hufa75321d3st.pdf pdf_icon

75321S

HUFA75321D3, HUFA75321D3S Data Sheet December 2001 20A, 55V, 0.036 Ohm, N-Channel UltraFET Features Power MOSFETs 20A, 55V These N-Channel power MOSFETs Simulation Models are manufactured using the - Temperature Compensating PSPICE and SABER innovative UltraFET process. This Models advanced process technology - Thermal Impedance SPICE and SABER Models achieves

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 40823, 40841, 75307D3, 75307P3, 75309D, 75309P3, 75321D3, 75321P, IRF740, 75329G, 75329P, 75329S, 75333G, 75333P, 75333S, 75339G, 75339P