BUK9535-100A. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUK9535-100A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 149 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для BUK9535-100A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BUK9535-100A даташит
buk9535-100a buk9635-100a.pdf
BUK9535-100A; BUK9635-100A TrenchMOS logic level FET Rev. 01 22 January 2001 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on-state resistance. Product availability BUK9535-100A in SOT78 (TO-220AB) BUK9635-100A in SOT404 (D 2-PAK). 2. Features TrenchMOS t
buk9535-55a buk9635-55a.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9535-55A Logic level FET BUK9635-55A GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope available in VDS Drain-source voltage 55 V TO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 34 A trench technolo
buk9535-55 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9535-55 Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope using trench VDS Drain-source voltage 55 V technology. The device features very ID Drain current (DC) 34 A low on-state resist
buk953r2-40 buk963r2-40b buk9e3r2-40b.pdf
BUK95/96/9E3R2-40B TrenchMOS logic level FET Rev. 04 14 November 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using Philips High-Performance Automotive TrenchMOS technology. 1.2 Features Very low on-state resistance Q101 compliant 175 C rated Logic level compatible. 1.3 Applications A
Другие IGBT... BUK9518-55A, BUK9520-100A, BUK9520-100B, BUK9520-55A, BUK9523-75A, BUK9524-55A, BUK9529-100B, BUK952R8-30B, 2SK3878, BUK9535-55A, BUK953R2-40B, BUK954R2-55B, BUK954R4-40B, BUK9575-100A, BUK9575-55A, BUK9604-40A, BUK9605-30A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTF30P35D | FTF25N35DHVT | FTF15N35D | FTE15C35G | FTP02P15G | FTE02P15G | AKF30N5P0SX | AKF30N10S | AKF20P45D | CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1
Popular searches
a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102






