BUK9606-55B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK9606-55B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 258 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для BUK9606-55B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9606-55B даташит

 ..1. Size:687K  nxp
 buk9606-55b.pdf pdf_icon

BUK9606-55B

BUK9606-55B N-channel TrenchMOS FET Rev. 04 23 July 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features and benefits Low cond

 4.1. Size:56K  philips
 buk9606-55a 1.pdf pdf_icon

BUK9606-55B

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9606-55A Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 55 V mounting. Using trench technology ID Drain current (DC) 75 A the device fe

 4.2. Size:66K  philips
 buk9506 buk9606-55a 2.pdf pdf_icon

BUK9606-55B

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9506-55A Logic level FET BUK9606-55A GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic envelope available in VDS Drain-source voltage 55 V TO220AB and SOT404 . Using ID Drain current (DC) 75 A trench technolo

 4.3. Size:808K  nxp
 buk9606-55a.pdf pdf_icon

BUK9606-55B

BUK9606-55A N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 04 31 May 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. 1.2 Features

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUK954R2-55B, BUK954R4-40B, BUK9575-100A, BUK9575-55A, BUK9604-40A, BUK9605-30A, BUK9606-40B, BUK9606-55A, SKD502T, BUK9606-75B, BUK9607-30B, BUK9608-55A, BUK9608-55B, BUK9609-40B, BUK9609-55A, BUK9609-75A, BUK9610-100B