PHKD3NQ10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHKD3NQ10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для PHKD3NQ10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHKD3NQ10T даташит

 ..1. Size:173K  philips
 phkd3nq10t.pdf pdf_icon

PHKD3NQ10T

PHKD3NQ10T Dual N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 16 December 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Dual standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications on

 ..2. Size:291K  nxp
 phkd3nq10t.pdf pdf_icon

PHKD3NQ10T

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

Другие IGBT... PHK12NQ03LT, PHK12NQ10T, PHK13N03LT, PHK18NQ03LT, PHK28NQ03LT, PHK31NQ03LT, PHK5NQ15T, PHKD13N03LT, 20N50, PHKD6N02LT, PHN203, PHN210T, PHP18NQ10T, PHP18NQ11T, PHP191NQ06LT, PHP20N06T, PHP20NQ20T