Справочник MOSFET. PHP18NQ11T

 

PHP18NQ11T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHP18NQ11T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для PHP18NQ11T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP18NQ11T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  philips
 php18nq11t.pdf pdf_icon

PHP18NQ11T

PHP18NQ11TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 10 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Feat

 ..2. Size:762K  nxp
 php18nq11t.pdf pdf_icon

PHP18NQ11T

PHP18NQ11TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 10 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Feat

 ..3. Size:260K  inchange semiconductor
 php18nq11t.pdf pdf_icon

PHP18NQ11T

isc N-Channel MOSFET Transistor PHP18NQ11TDESCRIPTIONDrain Current I = 18A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 110V(Min)DSSFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSGeneral purpose power amplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)CSYMBOL PARAMETER VALUE

 6.1. Size:121K  philips
 phb18nq10t phd18nq10t php18nq10t phd18nq10t.pdf pdf_icon

PHP18NQ11T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP18NQ10T, PHB18NQ10T PHD18NQ10TFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 18 AgRDS(ON) 90 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... PHK31NQ03LT , PHK5NQ15T , PHKD13N03LT , PHKD3NQ10T , PHKD6N02LT , PHN203 , PHN210T , PHP18NQ10T , IRF830 , PHP191NQ06LT , PHP20N06T , PHP20NQ20T , PHP225 , PHP23NQ11T , PHP27NQ11T , PHP28NQ15T , PHP29N08T .

History: CTU10P060 | IXFN32N80P | CS20N60FA9H | UT8205AG-AG6-R | 2SK2561-01R | VSD003N04MS-G | RXH090N03

 

 
Back to Top

 


 
.