PHP45NQ11T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHP45NQ11T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 105 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для PHP45NQ11T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP45NQ11T даташит

 ..1. Size:355K  philips
 php45nq11t.pdf pdf_icon

PHP45NQ11T

PHP45NQ11T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 19 November 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 F

 6.1. Size:110K  philips
 phb45nq10t php45nq10t phw45nq10t 1.pdf pdf_icon

PHP45NQ11T

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHB45NQ10T, PHP45NQ10T PHW45NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Very low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 47 A g RDS(ON) 25 m s GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor

 6.2. Size:85K  philips
 php45nq15t.pdf pdf_icon

PHP45NQ11T

PHP/PHB45NQ15T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 01 8 November 2004 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Low on-state resistance Fast switching Low thermal resistance Low gate charge. 1.3 Applications DC-to-DC

 6.3. Size:859K  nxp
 php45nq10t.pdf pdf_icon

PHP45NQ11T

PHP45NQ10T N-channel TrenchMOS standard level FET Rev. 02 8 July 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Featur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PHP225, PHP23NQ11T, PHP27NQ11T, PHP28NQ15T, PHP29N08T, PHP30NQ15T, PHP33NQ20T, PHP45NQ10T, IRLB3034, PHP79NQ08LT, PHP9NQ20T, PHT4NQ10LT, PHT4NQ10T, PHT6N06T, PHT6NQ10T, PHU97NQ03LT, PMBF170