PHP45NQ11T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PHP45NQ11T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 105 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для PHP45NQ11T
PHP45NQ11T Datasheet (PDF)
php45nq11t.pdf
PHP45NQ11TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 19 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 F
phb45nq10t php45nq10t phw45nq10t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHB45NQ10T, PHP45NQ10T PHW45NQ10T FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Very low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 47 AgRDS(ON) 25 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel enhancement mode field-effect power transistor
php45nq15t.pdf
PHP/PHB45NQ15TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 01 8 November 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode field effect transistor in a plastic packageusing TrenchMOS technology.1.2 Features Low on-state resistance Fast switching Low thermal resistance Low gate charge.1.3 Applications DC-to-DC
php45nq10t.pdf
PHP45NQ10TN-channel TrenchMOS standard level FETRev. 02 8 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionStandard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.1.2 Featur
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SUP90N15-18P
History: SUP90N15-18P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918