PMV40UN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMV40UN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для PMV40UN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMV40UN даташит

 ..1. Size:241K  philips
 pmv40un.pdf pdf_icon

PMV40UN

PMV40UN TrenchMOS ultra low level FET Rev. 01 05 August 2003 Product data M3D088 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMV40UN in SOT23. 1.2 Features Ultra low level threshold Surface mount package. 1.3 Applications Battery management High-speed switch.

 ..2. Size:96K  tysemi
 pmv40un.pdf pdf_icon

PMV40UN

Product specification PMV40UN TrenchMOS ultra low level FET Rev. 01 05 August 2003 Product data 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. Product availability PMV40UN in SOT23. 1.2 Features Ultra low level threshold Surface mount package. 1.3 Applications Battery management Hig

 ..3. Size:848K  cn vbsemi
 pmv40un.pdf pdf_icon

PMV40UN

PMV40UN www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT-23) G

 0.1. Size:259K  nxp
 pmv40un2.pdf pdf_icon

PMV40UN

PMV40UN2 30 V, N-channel Trench MOSFET 24 April 2014 Product data sheet 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits Trench MOSFET technology Low threshold voltage Very fast switching Enhanced power dissip

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... PMV213SN, PMV22EN, PMV28UN, PMV30UN, PMV30XN, PMV31XN, PMV32UP, PMV37EN, STP80NF70, PMV45EN, PMV48XP, PMV56XN, PMV60EN, PMV65XP, PMZ1000UN, PMZ250UN, PMZ270XN