APT1004R2BN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: APT1004R2BN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.2 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
APT1004R2BN Datasheet (PDF)
apt1004r2bn.pdf

DTO-247GAPT1004RBN 1000V 4.4A 4.00SAPT1004R2BN 1000V 4.0A 4.20POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APT APTSymbol Parameter 1004RBN 1004R2BN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C4.4 4.0AmpsIDM Pulsed Drain Current 1
apt1004r2kn.pdf

DTO-220GAPT1004RKN 1000V 3.6A 4.00SAPT1004R2KN 1000V 3.5A 4.20POWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004R2KN APT1004RKN UNITVDSS Drain-Source Voltage 1000 1000 VoltsID Continuous Drain Current3.5 3.6 Amps1IDM Pulsed Drain Current 14.0 14.4 Amps
apt1004rgn.pdf

DTO-257GAPT1004RGN 1000V 3.3A 4.00STMPOWER MOS IVN - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter APT1004RGN UNITVDSS Drain-Source Voltage1000 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C3.3AmpsIDM Pulsed Drain Current 113.2VGS Gate-Source Voltage30 VoltsTotal Po
Другие MOSFET... APT1002RBN , APT1002RCN , APT1003R5AN , APT1003R5BN , APT1003R5CN , APT1003R5GN , APT10043JVR , APT1004R2AN , 20N50 , APT1004R2CN , APT1004R2GN , APT1004RAN , APT1004RBN , APT1004RCN , APT1004RGN , APT1004RKN , APT10050B2VR .
History: WML11N80M3 | SSM6L13TU | SFF20N60B | CEP02N6A | CEB14N5 | MMBF4091
History: WML11N80M3 | SSM6L13TU | SFF20N60B | CEP02N6A | CEB14N5 | MMBF4091



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor | bc547 transistor datasheet | c945 datasheet | irfp260