STF22NM60N
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STF22NM60N
Маркировка: 22NM60N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30
V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 16
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150
°C
Qgⓘ -
Общий заряд затвора: 44
nC
trⓘ -
Время нарастания: 18
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 84
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22
Ohm
Тип корпуса:
TO220FP
Аналог (замена) для STF22NM60N
STF22NM60N
Datasheet (PDF)
..1. Size:818K st
stb22nm60n stf22nm60n sti22nm60n stp22nm60n stw22nm60n.pdf STB22NM60N, STF22NM60N, STI22NM60NSTP22NM60N, STW22NM60NN-channel 600 V, 0.2 , 16 A MDmesh II Power MOSFETin D2PAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220 and TO-247FeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.31332STB22NM60N 650 V
..2. Size:593K st
stb22nm60n stf22nm60n stp22nm60n.pdf STB22NM60N, STF22NM60N, STP22NM60NDatasheetN-channel 600 V, 0.20 typ., 16 A MDmesh II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and TO-220 packagesFeaturesTABVDS @31 RDS(on)max. IDOrder code2D PAKTjmax.321TO-220FPTAB STB22NM60NSTF22NM60N 650 V 0.22 16 A32 STP22NM60N1TO-220 100% avalanche testedD(2, TAB) Low input capacitance and gate charg
9.1. Size:44K st
stf2222a.pdf STF2222ASMALL SIGNAL NPN TRANSISTORPRELIMINARY DATAType MarkingSTF2222A 20F SILICON EPITAXIAL PLANAR NPNTRANSISTOR MINIATURE SOT-89 PLASTIC PACKAGEFOR SURFACE MOUNTING CIRCUITS TAPE & REEL PACKING THE PNP COMPLEMENTARY TYPE ISSTF2907AAPPLICATIONS SOT-89 WELL SUITABLE FOR PORTABLEEQUIPMENT SMALL LOAD SWITCH TRANSISTOR WITHHIGH GAIN AND LOW SATURATIONVOLTAG
9.2. Size:206K st
2stf2280.pdf 2STF2280Low voltage high performance PNP power transistorPreliminary dataFeatures Low collector-emitter saturation voltage High current gain characteristic4 Fast switching speed321Applications DC-DC converter, voltage regulationSOT-89 General purpose switching equipmentDescriptionFigure 1. Internal schematic diagramThe device is a PNP transistor
9.3. Size:241K st
2stf2220.pdf 2STF2220High gain Low Voltage PNP power transistorFeatures Very low Collector to Emitter saturation voltage D.C. Current gain, hFE >100 1.5 A continuous collector currentApplications Power management in portable equipmentSOT-89 Switching regulator in battery charger applicationsDescriptionThe device in a PNP transistor manufacturedFigure 1. Internal sche
9.4. Size:140K ssdi
stf22907gw.pdf SFT22907GW Series Solid State Devices, Inc. 14701 Firestone Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone: (562) 404-4474 * Fax: (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com Dual Microminiature Package DESIGNERS DATA SHEET 600 mA 60 Volts Part Number / Ordering Information 1/ Complimentary NPN & PNP SFT22907 GW __ Transistor Screening 2/ __ = Commercial
Другие MOSFET... FMP36-015P
, FMP76-01T
, GMM3x100-01X1-SMD
, FDMS0306AS
, GMM3x120-0075X2-SMD
, FDMS0300S
, GMM3x160-0055X2-SMD
, FDMC7200S
, STP80NF70
, FDMC7200
, GMM3x60-015X2-SMD
, FDMC0310AS
, GWM100-0085X1-SL
, FDMS3610S
, GWM100-0085X1-SMD
, FDMS3606S
, GWM100-01X1-SL
.