STP10NK70Z. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP10NK70Z

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP10NK70Z

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP10NK70Z даташит

 ..1. Size:384K  st
stp10nk70z.pdfpdf_icon

STP10NK70Z

STP10NK70Z STP10NK70ZFP N-CHANNEL 700V - 0.75 - 8.6A TO-220/TO-220FP Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP10NK70Z 700 V

 ..2. Size:274K  st
stp10nk70zfp stp10nk70z.pdfpdf_icon

STP10NK70Z

STP10NK70ZFP STP10NK70Z N-CHANNEL 700V - 0.75 - 8.6A - TO220-TO220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET General features Package VDSS RDS(on) ID Type Pw STP10NK70Z 700 V

 ..3. Size:280K  st
stp10nk70z stp10nk70zfp.pdfpdf_icon

STP10NK70Z

STP10NK70ZFP STP10NK70Z N-CHANNEL 700V - 0.75 - 8.6A - TO220-TO220FP Zener-Protected SuperMESH MOSFET General features Package VDSS RDS(on) ID Type Pw STP10NK70Z 700 V

 0.1. Size:253K  inchange semiconductor
stp10nk70zfp.pdfpdf_icon

STP10NK70Z

isc N-Channel MOSFET Transistor STP10NK70ZFP FEATURES Drain Current I = 8.6A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 700V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.85 (Max)@V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and so

Другие IGBT... STN3NF06L, STN3PF06, STN4NF03L, STN4NF06L, STN4NF20L, STP100NF04, STP10N62K3, STP10NK60Z, IRFB4110, STP10NK70ZFP, STP10NK80Z, STP10NK80ZFP, STP10NM50N, STP10NM60N, STP10NM60ND, STP10NM65N, STP11N52K3