APT20M45BVR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT20M45BVR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для APT20M45BVR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT20M45BVR даташит

 ..1. Size:92K  apt
 apt20m45bvr.pdf pdf_icon

APT20M45BVR

APT20M45BVR 200V 56A 0.045 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower

 ..2. Size:375K  inchange semiconductor
 apt20m45bvr.pdf pdf_icon

APT20M45BVR

isc N-Channel MOSFET Transistor APT20M45BVR FEATURES Drain Current I =56A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.045 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general pur

 4.1. Size:94K  apt
 apt20m45bvfr.pdf pdf_icon

APT20M45BVR

APT20M45BVFR 200V 56A 0.045 POWER MOS V FREDFET Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Fast Recovery Body Diode 100% Avalanche Tes

 4.2. Size:375K  inchange semiconductor
 apt20m45bvfr.pdf pdf_icon

APT20M45BVR

isc N-Channel MOSFET Transistor APT20M45BVFR FEATURES Drain Current I = 56A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =200V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.045 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20M22LVR, APT20M26WVR, APT20M38BVFR, APT20M38BVR, APT20M38SVR, APT20M40BVR, APT20M42HVR, APT20M45BVFR, IRF740, APT20M45SVFR, APT20M45SVR, APT30M19JVFR, APT30M19JVR, APT30M40JVFR, APT30M40JVR, APT30M40LVFR, APT30M40LVR