Справочник MOSFET. STP65NF06

 

STP65NF06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP65NF06
   Маркировка: P65NF06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 54 nC
   Время нарастания (tr): 60 ns
   Выходная емкость (Cd): 400 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для STP65NF06

 

 

STP65NF06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  st
std65nf06 stp65nf06.pdf

STP65NF06 STP65NF06

STD65NF06STP65NF06N-channel 60V - 11.5m - 60A - DPAK/TO-220STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD65NF06 60V

 ..2. Size:806K  cn vbsemi
stp65nf06.pdf

STP65NF06 STP65NF06

STP65NF06www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 60 Material categorization:600.012 at VGS = 4.5 V 50DTO-220ABGSDSGN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limi

 ..3. Size:205K  inchange semiconductor
stp65nf06.pdf

STP65NF06 STP65NF06

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STP65NF06FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMET

 9.1. Size:120K  samhop
stp652f.pdf

STP65NF06 STP65NF06

GrerrPPrPrProSTP652FaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDHigh power and current handling capability.60V 29A 22 @ VGS=10VTO-220F package.DGG D SSTF SERIESSTO-220F(TC=25C unless ot

 9.2. Size:122K  samhop
stp656f.pdf

STP65NF06 STP65NF06

GrPPrPPSTP656FSamHop Microelectronics Corp.Ver 1.0N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m ) MaxRugged and reliable.19 @ VGS=10VTO-220F Package.60V 22A29 @ VGS=4.5VDGG D SSTF SERIESTO-220FS(TC=25C unless otherwise noted)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSym

 9.3. Size:838K  stansontech
stp6506.pdf

STP65NF06 STP65NF06

STP6506 Dual P Channel Enhancement Mode MOSFET -2.8ADESCRIPTION The STC6506 is the dual P-Channel enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low

Другие MOSFET... STP60N55F3 , STP60NF03L , STP60NF06 , STP60NF06FP , STP60NF06L , STP60NF10 , STP60NS04ZB , STP62NS04Z , 2SK3918 , STP6N120K3 , STP6N52K3 , STP6N62K3 , STP6N95K5 , STP6NK50Z , STP6NK60Z , STP6NK90Z , STP70N10F4 .

 

 
Back to Top