Справочник MOSFET. STP65NF06

 

STP65NF06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP65NF06
   Маркировка: P65NF06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 54 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STP65NF06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  st
std65nf06 stp65nf06.pdfpdf_icon

STP65NF06

STD65NF06STP65NF06N-channel 60V - 11.5m - 60A - DPAK/TO-220STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD65NF06 60V

 ..2. Size:806K  cn vbsemi
stp65nf06.pdfpdf_icon

STP65NF06

STP65NF06www.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 60 Material categorization:600.012 at VGS = 4.5 V 50DTO-220ABGSDSGN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbol Limi

 ..3. Size:205K  inchange semiconductor
stp65nf06.pdfpdf_icon

STP65NF06

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STP65NF06FEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMET

 9.1. Size:120K  samhop
stp652f.pdfpdf_icon

STP65NF06

GrerrPPrPrProSTP652FaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDHigh power and current handling capability.60V 29A 22 @ VGS=10VTO-220F package.DGG D SSTF SERIESSTO-220F(TC=25C unless ot

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STP75NF75 | IRFB3607 | IRLB4132

 

 
Back to Top

 


 
.