Справочник MOSFET. STS10DN3LH5

 

STS10DN3LH5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS10DN3LH5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 22 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для STS10DN3LH5

 

 

STS10DN3LH5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:769K  st
 sts10dn3lh5.pdf

STS10DN3LH5 STS10DN3LH5

STS10DN3LH5Dual N-channel 30 V, 0.019 , 10 A, SO-8STripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTS10DN3LH5 30 V 0.021 10 A RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate chargeSO-8 High avalanche ruggedness Low gate drive power lossesApplication Switching applicationsFigure 1. Interna

 9.1. Size:135K  st
 sts10nf30l.pdf

STS10DN3LH5 STS10DN3LH5

STS10NF30LN - CHANNEL 30V - 0.011 - 10A SO-8STripFET POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTS10NF30L 30 V

 9.2. Size:537K  st
 sts10p3llh6.pdf

STS10DN3LH5 STS10DN3LH5

STS10P3LLH6 P-channel 30 V, 0.01 typ., 10 A, STripFET H6 Power MOSFET in a SO-8 package Datasheet - preliminary data Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Description This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET H6 technology,

 9.3. Size:775K  st
 sts10n3lh5.pdf

STS10DN3LH5 STS10DN3LH5

STS10N3LH5N-channel 30 V, 0.019 , 10 A, SO-8STripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTS10N3LH5 30 V 0.021 10 A RDS(on) * Qg industry benchmark Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate chargeSO-8 High avalanche ruggedness Low gate drive power lossesApplication Switching applicationsFigure 1. Internal schem

 9.4. Size:224K  st
 sts10pf30l.pdf

STS10DN3LH5 STS10DN3LH5

STS10PF30LP-CHANNEL 30V - 0.012 - 10A SO-8STripFET II POWER MOSFETTable 1: General FeaturesFigure 1:PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTS10PF30L 30V

 9.5. Size:367K  st
 sts10p4llf6.pdf

STS10DN3LH5 STS10DN3LH5

STS10P4LLF6P-channel 40 V, 0.013 typ., 10 A, STripFET VI DeepGATEPower MOSFET in a SO-8 packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code VDS RDS(on) max IDSTS10P4LLF6 40 V 0.017 10A RDS(on)* Qg industry benchmark4 Extremely low on-resistance RDS(on)1 High avalanche ruggednessSO-8Applications Switching applicationsDescriptionFigure 1.

 9.6. Size:827K  cn vbsemi
 sts10pf30l.pdf

STS10DN3LH5 STS10DN3LH5

STS10PF30Lwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Desktop P

 9.7. Size:834K  cn vbsemi
 sts10p4llf6.pdf

STS10DN3LH5 STS10DN3LH5

STS10P4LLF6www.VBsemi.twP-Channel 40 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.010 at VGS = - 10 V - 16.1 100 % Rg Tested- 40 33 nC0.014 at VGS = - 4.5 V - 13.3 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSS Load Switch POLSO-8GSD

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top