STW48NM60N - описание и поиск аналогов

 

STW48NM60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STW48NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 212 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для STW48NM60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW48NM60N даташит

 ..1. Size:712K  st
stw48nm60n.pdfpdf_icon

STW48NM60N

STW48NM60N N-channel 600 V, 0.055 typ., 44 A MDmesh II Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet production data Features VDSS @ RDS(on) Order codes ID TJmax max STW48NM60N 650 V

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
stw48nm60n.pdfpdf_icon

STW48NM60N

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STW48NM60N FEATURES Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage

 8.1. Size:760K  st
stw48n60m2-4.pdfpdf_icon

STW48NM60N

STW48N60M2-4 N-channel 600 V, 0.06 typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package Datasheet - production data Features Order code V Jmax DS(on) D DS @ T R max I STW48N60M2-4 650 V 0.07 42 A Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin Extremely low gate charge Excellent output capacitance (C ) profile oss 100% a

 8.2. Size:433K  st
stw48n60m6-4.pdfpdf_icon

STW48NM60N

STW48N60M6-4 Datasheet N-channel 600 V, 61 m typ., 39 A, MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247 4 package Features VDS RDS(on) max. ID Order code STW48N60M6-4 600 V 69 m 39 A Reduced switching losses Lower RDS(on) per area vs previous generation 4 3 2 Low gate input resistance 1 100% avalanche tested TO247-4 Zener-protected Drain(1) Excellent swit

Другие MOSFET... STW42N65M5 , STW43NM60N , STW43NM60ND , STW45NM50 , STW45NM50FD , STW45NM60 , STW45NM60D , STW47NM60ND , IRFP064N , STW4N150 , STW52NK25Z , STW54NM65ND , STW55NM60ND , STW56NM60N , STW58NM60N , STW5NK100Z , STW60N65M5 .

History: 4N70KL-TND-R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.