BSC110N06NS3G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BSC110N06NS3G 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: TDSON8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для BSC110N06NS3G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSC110N06NS3G даташит
bsc110n06ns3g.pdf
Type BSC110N06NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec. RDS(on),max 11 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 50 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Superior thermal resistance N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compl
bsc110n06ns3.pdf
pe $ $ TM "9@/; %;+877+;B Features V D Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 R 11 m D n) m x Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BC I D Q H35>5?B=1
bsc110n15ns5.pdf
BSC110N15NS5 MOSFET SuperSO8 OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 150 C operating temperature 4 Pb-free lead plating; RoHS compliant 1 3 2 2 Qualified according to JEDEC1) for target application 3 1 4 Ideal for hig
bsc110n15ns5.pdf
BSC110N15NS5 MOSFET SuperSO8 OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 150 C operating temperature 4 Pb-free lead plating; RoHS compliant 1 3 2 2 Qualified according to JEDEC1) for target application 3 1 4 Ideal for hig
Другие IGBT... BSC093N04LSG, BSC094N03SG, BSC100N03LSG, BSC100N03MSG, BSC100N06LS3G, BSC100N10NSFG, BSC105N10LSFG, BSC109N10NS3G, IRFP260N, BSC118N10NSG, BSC119N03SG, BSC120N03LSG, BSC120N03MSG, BSC123N08NS3G, BSC123N10LSG, BSC12DN20NS3G, BSC130P03LSG
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: OSG65R2KFF | VBE165R04
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710




