Справочник MOSFET. BSC110N06NS3G

 

BSC110N06NS3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC110N06NS3G
   Маркировка: 110N06NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC110N06NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:393K  infineon
 bsc110n06ns3g.pdf pdf_icon

BSC110N06NS3G

TypeBSC110N06NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec.RDS(on),max 11 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 50 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Superior thermal resistance N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compl

 2.1. Size:591K  infineon
 bsc110n06ns3.pdf pdf_icon

BSC110N06NS3G

pe $ $ TM "9@/; %;+877+;BFeaturesV D Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 R 11m D n) m xQ ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI DQ H35>5?B=1

 7.1. Size:976K  1
 bsc110n15ns5.pdf pdf_icon

BSC110N06NS3G

BSC110N15NS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V5867Features 7685 N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) 150 C operating temperature4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Qualified according to JEDEC1) for target application3 14 Ideal for hig

 7.2. Size:976K  infineon
 bsc110n15ns5.pdf pdf_icon

BSC110N06NS3G

BSC110N15NS5MOSFETSuperSO8OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V5867Features 7685 N-channel, normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) 150 C operating temperature4 Pb-free lead plating; RoHS compliant132 2 Qualified according to JEDEC1) for target application3 14 Ideal for hig

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSC093N04LSG , BSC094N03SG , BSC100N03LSG , BSC100N03MSG , BSC100N06LS3G , BSC100N10NSFG , BSC105N10LSFG , BSC109N10NS3G , IRF630 , BSC118N10NSG , BSC119N03SG , BSC120N03LSG , BSC120N03MSG , BSC123N08NS3G , BSC123N10LSG , BSC12DN20NS3G , BSC130P03LSG .

 

 
Back to Top

 


 
.