BSP315P - описание и поиск аналогов

 

BSP315P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSP315P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для BSP315P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP315P даташит

 ..1. Size:94K  infineon
bsp315p.pdfpdf_icon

BSP315P

Preliminary data BSP 315 P SIPMOS Small-Signal-Transistor Features Product Summary P-Channel Drain source voltage VDS -60 V Enhancement mode Drain-source on-state resistance RDS(on) 0.8 Avalanche rated Continuous drain current ID -1.17 A Logic Level 4 dv/dt rated 3 2 1 VPS05163 Type Package Ordering Code Pin 1 Pin2/4 PIN 3 BSP 315 P SOT-223 Q67042-S4004 G D S Maximum

 ..2. Size:471K  infineon
bsp315p .pdfpdf_icon

BSP315P

BSP315P SIPMOS Small-Signal-Transistor Features Product Summary P-Channel Drain source voltage VDS -60 V Enhancement mode Drain-Source on-state resistance RDS(on) 0.8 Avalanche rated Continuous drain current ID -1.17 A Logic Level 4 dv/dt rated Pin 1 Pin2/4 PIN 3 3 Qualified according to AEC Q101 2 G D S 1 VPS05163 Type Package Tape and Reel In

 ..3. Size:818K  cn vbsemi
bsp315p.pdfpdf_icon

BSP315P

BSP315P www.VBsemi.tw P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested 0.055 at VGS = - 10 V - 7.0 APPLICATIONS - 60 30 nC 0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load Switch S SOT-223 G D S D G D P-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted) Paramete

 9.1. Size:49K  philips
bsp31 bsp32 bsp33 3.pdfpdf_icon

BSP315P

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D087 BSP31; BSP32; BSP33 PNP medium power transistors 1999 Apr 26 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 08 Philips Semiconductors Product specification PNP medium power transistors BSP31; BSP32; BSP33 FEATURES PINNING High current (max. 1 A) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V). 1 base 2, 4 collector AP

Другие MOSFET... BSO303SPH , BSO330N02KG , BSO350N03 , BSO613SPVG , BSO615NG , BSP603S2L , BSP170P , BSP171P , IRFZ44N , BSP316P , BSP317P , BSP321P , BSP322P , BSP613P , BSP92P , BSR315P , BSR316P .

History: APT1201R2BLL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.