Справочник MOSFET. BSP315P

 

BSP315P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSP315P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP315P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:94K  infineon
bsp315p.pdfpdf_icon

BSP315P

Preliminary dataBSP 315 PSIPMOS Small-Signal-TransistorFeaturesProduct Summary P-ChannelDrain source voltage VDS -60 V Enhancement modeDrain-source on-state resistance RDS(on) 0.8 Avalanche ratedContinuous drain current ID -1.17 A Logic Level4 dv/dt rated321VPS05163Type Package Ordering Code Pin 1 Pin2/4 PIN 3BSP 315 P SOT-223 Q67042-S4004 G D SMaximum

 ..2. Size:471K  infineon
bsp315p .pdfpdf_icon

BSP315P

BSP315PSIPMOS Small-Signal-TransistorFeaturesProduct Summary P-Channel Drain source voltage VDS -60 V Enhancement modeDrain-Source on-state resistance RDS(on) 0.8 Avalanche rated Continuous drain current ID -1.17 A Logic Level4 dv/dt ratedPin 1 Pin2/4 PIN 33 Qualified according to AEC Q101 2G D S1VPS05163Type Package Tape and Reel In

 ..3. Size:818K  cn vbsemi
bsp315p.pdfpdf_icon

BSP315P

BSP315Pwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.055 at VGS = - 10 V - 7.0APPLICATIONS- 60 30 nC0.065 at VGS = - 4.5 V - 6.0 Load SwitchSSOT-223GDSDGDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Paramete

 9.1. Size:49K  philips
bsp31 bsp32 bsp33 3.pdfpdf_icon

BSP315P

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D087BSP31; BSP32; BSP33PNP medium power transistors1999 Apr 26Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 08Philips Semiconductors Product specificationPNP medium power transistors BSP31; BSP32; BSP33FEATURES PINNING High current (max. 1 A)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 80 V).1 base2, 4 collectorAP

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTA300N04T2 | STB55NF06 | AO4335 | DMP3056LDM | 3N159 | IXFT70N15

 

 
Back to Top

 


 
.