BSZ050N03LSG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BSZ050N03LSG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
Тип корпуса: TSDSON8
Аналог (замена) для BSZ050N03LSG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BSZ050N03LSG даташит
bsz050n03lsg.pdf
BSZ050N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 5 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 40 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TSDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superio
bsz050n03ls.pdf
BSZ050N03LS G OptiMOS 3 Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 5 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 40 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TSDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) Superio
bsz050n03ms.pdf
BSZ050N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) R V =10 V 4.5 m DS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPS V =4.5 V 5.7 GS 100% avalanche tested I 40 A D PG-TSDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product
bsz050n03msg.pdf
BSZ050N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) R V =10 V 4.5 m DS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPS V =4.5 V 5.7 GS 100% avalanche tested I 40 A D PG-TSDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product
Другие MOSFET... BSS84P , BSS84PW , BSV236SP , BSZ019N03LS , BSZ035N03LSG , BSZ035N03MSG , BSZ040N04LSG , BSZ042N04NSG , IRFP250N , BSZ050N03MSG , BSZ058N03LSG , BSZ058N03MSG , BSZ067N06LS3G , BSZ076N06NS3G , BSZ086P03NS3G , BSZ086P03NS3EG , BSZ088N03LSG .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904




