Справочник MOSFET. BSZ050N03LSG

 

BSZ050N03LSG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSZ050N03LSG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TSDSON8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSZ050N03LSG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:327K  infineon
 bsz050n03lsg.pdf pdf_icon

BSZ050N03LSG

BSZ050N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPS R 5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 40 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TSDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superio

 3.1. Size:325K  infineon
 bsz050n03ls.pdf pdf_icon

BSZ050N03LSG

BSZ050N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPS R 5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 40 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TSDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superio

 5.1. Size:318K  infineon
 bsz050n03ms.pdf pdf_icon

BSZ050N03LSG

BSZ050N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) R V =10 V 4.5mDS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPSV =4.5 V 5.7GS 100% avalanche tested I 40 ADPG-TSDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product

 5.2. Size:320K  infineon
 bsz050n03msg.pdf pdf_icon

BSZ050N03LSG

BSZ050N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeatures V 30 VDS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) R V =10 V 4.5mDS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPSV =4.5 V 5.7GS 100% avalanche tested I 40 ADPG-TSDSON-8 N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STP11NB40FP | SDF120JDA-D | FDPF8N50NZU | DG840 | IRLU3715 | KNB1906A | SIHF730S

 

 
Back to Top

 


 
.