Справочник MOSFET. BUZ31H3045A

 

BUZ31H3045A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ31H3045A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK TO263
 

 Аналог (замена) для BUZ31H3045A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ31H3045A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1209K  infineon
buz31h3045a.pdfpdf_icon

BUZ31H3045A

BUZ31 H3045 A. Pb-free lead plating; RoHS compliant. Halogen-free according to IEC61249-2-21Pb-freePG-TO263-3BUZ31 H3045A YesRev 2.1 2009-11-09BUZ31 H3045 ARev 2.12009-11-09BUZ31 H3045 ARev 2.12009-11-09BUZ31 H3045 ARev 2.12009-11-09BUZ31 H3045 ARev 2.1 2009-11-09BUZ31 H3045 A2009-11-09Rev 2.1BUZ31 H3045 ARev 2.12009-11-09BUZ31 H3045 ARev

 5.1. Size:796K  1
buz31h3046.pdfpdf_icon

BUZ31H3045A

BUZ 31 H3046SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Normal Level. Pb-free lead plating; RoHs compliant. Halogen-free according to IEC61249-2-21Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Pb-freeBUZ 31 H3046 200 V 14.5 A 0.2 PG-TO-262-3 YesMaximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC =

 5.2. Size:235K  inchange semiconductor
buz31h3046.pdfpdf_icon

BUZ31H3045A

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor BUZ31H3046FEATURESEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

 8.1. Size:388K  infineon
buz31h.pdfpdf_icon

BUZ31H3045A

BUZ 31 HSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Normal Level. Pb-free lead plating; RoHs compliant. Halogen-free according to IEC61249-2-21Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Pb-freeBUZ 31 H 200 V 14.5 A 0.2 PG-TO-220-3 YesMaximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 30 C

Другие MOSFET... BSZ42DN25NS3G , BSZ440N10NS3G , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , BSZ900N20NS3G , BUZ30AH , BUZ30AH3045A , BUZ31H , SKD502T , BUZ31LH , BUZ32H , BUZ32H3045A , BUZ73H , BUZ73AH , BUZ73ALH , BUZ73LH , IPA028N08N3G .

History: YJL2312AL | AOT2146L

 

 
Back to Top

 


 
.