BUZ31H3045A - описание и поиск аналогов

 

BUZ31H3045A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ31H3045A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 95 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: D2PAK TO263

Аналог (замена) для BUZ31H3045A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ31H3045A даташит

 ..1. Size:1209K  infineon
buz31h3045a.pdfpdf_icon

BUZ31H3045A

BUZ31 H3045 A . Pb-free lead plating; RoHS compliant . Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free PG-TO263-3 BUZ31 H3045A Yes Rev 2.1 2009-11-09 BUZ31 H3045 A Rev 2.1 2009-11-09 BUZ31 H3045 A Rev 2.1 2009-11-09 BUZ31 H3045 A Rev 2.1 2009-11-09 BUZ31 H3045 A Rev 2.1 2009-11-09 BUZ31 H3045 A 2009-11-09 Rev 2.1 BUZ31 H3045 A Rev 2.1 2009-11-09 BUZ31 H3045 A Rev

 5.1. Size:796K  1
buz31h3046.pdfpdf_icon

BUZ31H3045A

BUZ 31 H3046 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Normal Level . Pb-free lead plating; RoHs compliant . Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Pb-free BUZ 31 H3046 200 V 14.5 A 0.2 PG-TO-262-3 Yes Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC =

 5.2. Size:235K  inchange semiconductor
buz31h3046.pdfpdf_icon

BUZ31H3045A

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor BUZ31H3046 FEATURES Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

 8.1. Size:388K  infineon
buz31h.pdfpdf_icon

BUZ31H3045A

BUZ 31 H SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Normal Level . Pb-free lead plating; RoHs compliant . Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Pb-free BUZ 31 H 200 V 14.5 A 0.2 PG-TO-220-3 Yes Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 30 C

Другие MOSFET... BSZ42DN25NS3G , BSZ440N10NS3G , BSZ520N15NS3G , BSZ900N15NS3G , BSZ900N20NS3G , BUZ30AH , BUZ30AH3045A , BUZ31H , RFP50N06 , BUZ31LH , BUZ32H , BUZ32H3045A , BUZ73H , BUZ73AH , BUZ73ALH , BUZ73LH , IPA028N08N3G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.