Справочник MOSFET. IPB100N08S2L-07

 

IPB100N08S2L-07 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB100N08S2L-07
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IPB100N08S2L-07

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB100N08S2L-07 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:154K  infineon
 ipb100n08s2l-07 ipp100n08s2l-07 ipp100n08s2l-07 ipb100n08s2l-07.pdf pdf_icon

IPB100N08S2L-07

IPB100N08S2L-07IPP100N08S2L-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 75 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 6.5mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 100 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avala

 3.1. Size:158K  infineon
 ipb100n08s2-07 ipp100n08s2-07 ipi100n08s2-07 ipp100n08s2-07 ipb100n08s2-07 ipi100n08s2-07.pdf pdf_icon

IPB100N08S2L-07

IPB100N08S2-07IPP100N08S2-07, IPI100N08S2-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 75 VDS N-channel - Enhancement modeR (SMD version) 6.8mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 100 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 PG-TO262-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on)

 6.1. Size:159K  infineon
 ipb100n06s2l-05 ipp100n06s2l-05.pdf pdf_icon

IPB100N08S2L-07

IPB100N06S2L-05IPP100N06S2L-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 55 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR (SMD version) 4.4mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 100 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avala

 6.2. Size:159K  infineon
 ipp100n04s4-h2 ipb100n04s4-h2 ipi100n04s4-h2.pdf pdf_icon

IPB100N08S2L-07

IPB100N04S4-H2IPI100N04S4-H2, IPP100N04S4-H2OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR (SMD version) 2.4mDS(on),max I 100 ADFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO262-3-1 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTy

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPA90R500C3 , IPA90R800C3 , IPB100N04S2-04 , IPB100N04S2L-03 , IPB100N04S3-03 , IPB100N06S2-05 , IPB100N06S2L-05 , IPB100N08S2-07 , SPP20N60C3 , IPB100N10S3-05 , IPB100P03P3L-04 , IPB120N04S3-02 , IPB120N06S4-03 , IPB160N04S2-03 , IPB160N04S2L-03 , IPB160N04S3-H2 , IPB180N03S4L-H0 .

History: 2N5197 | FMP12N60ES | PMV88ENEA | STL4P2UH7 | IPB120N06S4-03 | SIE726DF | 4N100L-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.