Справочник MOSFET. IPB180N06S4-H1

 

IPB180N06S4-H1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB180N06S4-H1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB180N06S4-H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  infineon
 ipb180n06s4-h1 ipb180n06s4-h1 ds 10.pdf pdf_icon

IPB180N06S4-H1

IPB180N06S4-H1OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 60 VDSR 1.7mDS(on),maxI 180 ADFeaturesPG-TO263-7-3 N-channel - Enhancement mode AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSon Ultra high IDType Package MarkingIPB180N0

 6.1. Size:351K  infineon
 ipb180n04s4-00.pdf pdf_icon

IPB180N06S4-H1

IPB180N04S4-00OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 0.98mWID 180 AFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N04S4-00 PG-TO263-7-3 4N0400Maxim

 6.2. Size:161K  infineon
 ipb180n03s4l-h0 ipb180n03s4l-h0 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPB180N06S4-H1

IPB180N03S4L-H0OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 30 VDSR 0.95mDS(on)I 180 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB180N03S4L-H0 PG-TO263-7-3 4N

 6.3. Size:201K  infineon
 ipb180n08s4-02.pdf pdf_icon

IPB180N06S4-H1

IPB180N08S4-02OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 80 VDSR 2.2mWDS(on),maxI 180 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Ultra low RDSon Ultra high IDType Package MarkingIPB180N08

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFB4127PBF | SM4020NHG | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | FP401

 

 
Back to Top

 


 
.