IPB034N03LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPB034N03LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для IPB034N03LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB034N03LG даташит

 ..1. Size:725K  infineon
 ipp034n03lg ipb034n03lg.pdf pdf_icon

IPB034N03LG

Type IPP034N03L G IPB034N03L G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 3.4 mW DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 80 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on)

 4.1. Size:723K  infineon
 ipb034n03l ipp034n03l.pdf pdf_icon

IPB034N03LG

Type IPP034N03L G IPB034N03L G 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 3.4 mW DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 80 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on)

 4.2. Size:243K  inchange semiconductor
 ipb034n03l .pdf pdf_icon

IPB034N03LG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPB034N03L DESCRIPTION Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 30V(Min) DSS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS . Designed for high current, high speed switching, switch mode power supplies. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SY

 4.3. Size:243K  inchange semiconductor
 ipb034n03l.pdf pdf_icon

IPB034N03LG

isc N-Channel MOSFET Transistor IPB034N03L DESCRIPTION Drain Current I = 80A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 30V(Min) DSS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS . Designed for high current, high speed switching, switch mode power supplies. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) C SY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPB023N04NG, IPB023N06N3G, IPB025N08N3G, IPB025N10N3G, IPB027N10N3G, IPB029N06N3G, IPB030N08N3G, IPB031NE7N3G, AO3400, IPB034N06L3G, IPB034N06N3G, IPB035N08N3G, IPB036N12N3G, IPB037N06N3G, IPB038N12N3G, IPB039N04LG, IPB039N10N3G