Справочник MOSFET. IPB075N04LG

 

IPB075N04LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPB075N04LG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для IPB075N04LG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB075N04LG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:445K  infineon
ipb075n04l.pdfpdf_icon

IPB075N04LG

pe % # ! % (>.;?6?@%>EFeatures 4 D Q 2CD CG:D49:?8 ') - . 7@B -'*- 7 m D n) m xQ ) AD:>:J65 D649?@=@8I 7@B 4@?F6BD6BCD1)Q + E2=:7:65 244@B5:?8 D@ $ 7@B D2B86D 2AA=:42D:@?CQ ( 492??6= =@8:4 =6F6=Q H46==6?D 82D6 492B86 H AB@5E4D ) ' D n)Q /6BI =@G @? B6C:CD2?46 G O D n)Q F2=2?496 D6CD65Q *3 7B66 A=2D:?8 , @"- 4@>A=:2?DQ "2=@86?

 9.1. Size:736K  infineon
ipb070n06lg ipp070n06lg7.pdfpdf_icon

IPB075N04LG

IPB070N06L G IPP070N06L G Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P ?A 61BC BF9C389>7 3?>E5AC5AB 1>4 BH>3 A53C96931C9?>R 7 m , ?> =1G ,' E5AB9?>P ( 381>>581>35=5>C

 9.2. Size:980K  infineon
ipb073n15n5.pdfpdf_icon

IPB075N04LG

IPB073N15N5MOSFETDPAKOptiMOS5 Power-Transistor, 150 VFeatures Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Very low reverse recovery charge (Q )rr 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high-frequency switching and synch

 9.3. Size:162K  infineon
ipp07n03l ipb07n03l.pdfpdf_icon

IPB075N04LG

IPP07N03LIPB07N03LOptiMOS Buck converter seriesProduct SummaryFeatureVDS30 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 5.9 m Logic LevelID 80 A Low On-Resistance RDS(on)P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ideal for f

Другие MOSFET... IPB055N03LG , IPB05CN10NG , IPB065N03LG , IPB065N06LG , IPB065N15N3G , IPB067N08N3G , IPB06CN10NG , IPB072N15N3G , RFP50N06 , IPB080N03LG , IPB080N06NG , IPB081N06L3G , IPB083N10N3G , IPB08CNE8NG , IPB090N06N3G , IPB093N04LG , IPB096N03LG .

History: STL75N3LLZH5 | SIHF7N60E | STB10N60M2 | PE6R8DX | SPI07N60S5

 

 
Back to Top

 


 
.