IPB160N04S4-H1 - аналоги и даташиты транзистора

 

IPB160N04S4-H1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPB160N04S4-H1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: TO263-7
 

 Аналог (замена) для IPB160N04S4-H1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPB160N04S4-H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  infineon
 ipb160n04s4-h1.pdf pdf_icon

IPB160N04S4-H1

IPB160N04S4-H1OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 1.6mWDS(on)I 160 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB160N04S4-H1 PG-TO263-7-3 4N04H1

 ..2. Size:162K  infineon
 ipb160n04s4-h1 ds 1 0.pdf pdf_icon

IPB160N04S4-H1

IPB160N04S4-H1OptiMOS-T2 Power-TransistorProduct SummaryV 40 VDSR 1.6mDS(on)I 160 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB160N04S4-H1 PG-TO263-7-3 4N04H1

 3.1. Size:200K  infineon
 ipb160n04s4l-h1.pdf pdf_icon

IPB160N04S4-H1

Data Sheet IPB160N04S4L-H1OptiMOSTM-T2 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on) 1.5mID 160 AFeatures N-channel Logic Level - Enhancement modePG-TO263-7-3 AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB160N04S4L-H1 PG-TO263-7-3 4N04LH1Ma

 4.1. Size:145K  infineon
 ipb160n04s2-03.pdf pdf_icon

IPB160N04S4-H1

IPB160N04S2-03OptiMOS - T Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS N-channel - Enhancement modeR 2.9mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 160 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green package (lead free)PG-TO263-7-3 Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package Ordering Code MarkingIPB1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPB120N06NG , IPB120N06S4-02 , IPB120N06S4-H1 , IPB123N10N3G , IPB12CNE8NG , IPB136N08N3G , IPB144N12N3G , IPB147N03LG , 75N75 , IPB16CN10NG , IPB180N03S4L-01 , IPB180N04S4-01 , IPB180N04S4-H0 , IPB200N15N3G , IPB200N25N3G , IPB230N06L3G , IPB260N06N3G .

History: WMJ53N60F2 | UT3N10L-K08-3030-R | 2SK3534-01MR | UT2955G-AA3-R | IPB037N06N3G | 3401A

 

 
Back to Top

 


 
.