Справочник MOSFET. IPB260N06N3G

 

IPB260N06N3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPB260N06N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0257 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для IPB260N06N3G

 

 

IPB260N06N3G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:296K  infineon
 ipb260n06n3-g ipp260n06n3-g.pdf

IPB260N06N3G IPB260N06N3G

Type IPB260N06N3 G IPP260N06N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 60 VDS Ideal for high frequency switching and sync. rec.R 26mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 27 AD Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) N-channel, normal level 100% avalanche tested Pb-free plating; RoHS compliant Qualifie

 9.1. Size:1032K  infineon
 ipb26cn10ng ipd25cn10ng ipi26cn10ng ipp26cn10ng.pdf

IPB260N06N3G IPB260N06N3G

IPB26CN10N G IPD25CN10N GIPI26CN10N G IPP26CN10N G OptiMOS2 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 100 V N-channel, normal levelRDS(on),max (TO252) 25 mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 35 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

 9.2. Size:707K  infineon
 ipb26cn10n-g ipd25cn10n-g ipi26cn10n-g ipp26cn10n-g ipu25cn10n-g.pdf

IPB260N06N3G IPB260N06N3G

IPB26CN10N G IPD25CN10N GIPI26CN10N G IPP26CN10N G IPU25CN10N GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 100 VDS N-channel, normal levelR 25mDS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 35 AD Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi

 9.3. Size:258K  inchange semiconductor
 ipb26cn10n.pdf

IPB260N06N3G IPB260N06N3G

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB26CN10NFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top