Справочник MOSFET. IPD30N03S2L-20

 

IPD30N03S2L-20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD30N03S2L-20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD30N03S2L-20

 

 

IPD30N03S2L-20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  infineon
 ipd30n03s2l-20.pdf

IPD30N03S2L-20 IPD30N03S2L-20

IPD30N03S2L-20OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR 20mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD30N03S2L

 2.1. Size:151K  infineon
 ipd30n03s2l-07.pdf

IPD30N03S2L-20 IPD30N03S2L-20

IPD30N03S2L-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR 6.7mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD30N03S2

 2.2. Size:151K  infineon
 ipd30n03s2l-10.pdf

IPD30N03S2L-20 IPD30N03S2L-20

IPD30N03S2L-10OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS N-channel Logic Level - Enhancement modeR 10mDS(on),max Automotive AEC Q101 qualifiedI 30 AD MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperaturePG-TO252-3-11 Green package (lead free) Ultra low Rds(on) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD30N03S2L

 2.3. Size:1828K  cn vbsemi
 ipd30n03s2l-10.pdf

IPD30N03S2L-20 IPD30N03S2L-20

IPD30N03S2L-10www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.005 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.006 at VGS = 4.5 V 68APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFET

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXFV12N90PS

 

 
Back to Top