APT6035BN. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: APT6035BN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 436 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для APT6035BN
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
APT6035BN даташит
apt6035bn.pdf
D TO-247 G APT6035BN 600V 19.0A 0.35 S POWER MOS IV N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter APT6035BN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 600 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 19 Amps IDM Pulsed Drain Current 1 76 VGS Gate-Source Voltage 30 Volts Total Power Dissi
apt6035bvr.pdf
APT6035BVR 600V 18A 0.350 POWER MOS V Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. Faster Switching 100% Avalanche Tested D Lower L
apt6035bvfrg apt6035svfrg.pdf
APT6035BVFR APT6035SVFR 600V 18A 0.350 BVFR POWER MOS V FREDFET D3PAK Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. SVFR
apt6035bvfr.pdf
APT6035BVFR APT6035SVFR 600V 18A 0.350 BVFR POWER MOS V FREDFET D3PAK Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement TO-247 mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. SVFR
Другие IGBT... APT6017WVR, APT6020LVR, APT6025BVR, APT6027HVR, APT6030BN, APT6030BVR, APT6032AVR, APT6035AVR, IRFZ48N, APT6035BVR, APT6035SVR, APT6037HVR, APT6040BN, APT6045BVR, APT6045CVR, APT6045SVR, APT60M75JVR
History: PP4515BL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent




