Справочник MOSFET. IPD70N10S3-12

 

IPD70N10S3-12 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPD70N10S3-12
   Маркировка: QN1012
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 51 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 940 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0111 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для IPD70N10S3-12

 

 

IPD70N10S3-12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  infineon
 ipd70n10s3-12 ipd70n10s3-12 ds 1 1.pdf

IPD70N10S3-12 IPD70N10S3-12

IPD70N10S3-12OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 11.1mWDS(on),maxI 70 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD70N10S3-12 PG-TO252-3-11 QN1012Max

 4.1. Size:176K  infineon
 ipd70n10s3l-12 ipd70n10s3l-12 ds 1 1.pdf

IPD70N10S3-12 IPD70N10S3-12

IPD70N10S3L-12OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryV 100 VDSR 11.5mWDS(on),maxI 70 ADFeatures N-channel - Enhancement modePG-TO252-3-11 Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPD70N10S3L-12 PG-TO252-3-11 QN10L12

 7.1. Size:394K  infineon
 ipd70n12s3l-12.pdf

IPD70N10S3-12 IPD70N10S3-12

IPD70N12S3L-12OptiMOS-T Power-TransistorProduct Summary VDS 120 V RDS(on),max 11.5 mW ID 70 A Features OptiMOS - power MOSFET for automotive applicationsPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedT

 7.2. Size:361K  infineon
 ipd70n12s3-11.pdf

IPD70N10S3-12 IPD70N10S3-12

IPD70N12S3-11OptiMOS-T Power-TransistorProduct Summary VDS 120 V RDS(on),max 11.1 mW ID 70 A Features OptiMOS - power MOSFET for automotive applicationsPG-TO252-3-11 N-channel - Enhancement mode Automotive AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedTy

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top