IPD060N03LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPD060N03LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для IPD060N03LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD060N03LG даташит

 ..1. Size:523K  infineon
 ipd060n03lg ipf060n03lg ips060n03lg ipu060n03lg.pdf pdf_icon

IPD060N03LG

Type IPD060N03L G IPF060N03L G IPS060N03L G IPU060N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 6 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very lo

 ..2. Size:1021K  infineon
 ipd060n03lg .pdf pdf_icon

IPD060N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@ %>E Features D S !4EF EI

 ..3. Size:1007K  infineon
 ipd060n03lg.pdf pdf_icon

IPD060N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@ %>E Features D R 3DE DH;E5 ;@9 ') - . 8AC -'*- mW D n) m x R ) BE;?;K76 E75 @A>A9J 8AC 5A@G7CE7CD D 1) R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA $ 8AC E3C97E 3BB>;53E;A@D R ( 5 3@@7> >A9;5 >7G7> R I57>>7@E 93E7 5 3C97 I BCA6F5E ) ' D n) R 07CJ >AH A@ C7D;DE3@57 D n) R G3>3@5 7 C3E76 R *4 8C77 B>3E;@9 Type #* ( & ! #* ( & ! #*

 4.1. Size:634K  infineon
 ipd060n03l ipf060n03l ips060n03l ipu060n03l.pdf pdf_icon

IPD060N03LG

Type IPD060N03L G IPF060N03L G IPS060N03L G IPU060N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 6 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPD038N04NG, IPD038N06N3G, IPD040N03LG, IPD042P03L3G, IPD048N06L3G, IPD050N03LG, IPD053N06N3G, IPD053N08N3G, IRF830, IPD068N10N3G, IPD068P03L3G, IPD075N03LG, IPD079N06L3G, IPD082N10N3G, IPD088N04LG, IPD088N06N3G, IPD090N03LG