Справочник MOSFET. APT8018JN

 

APT8018JN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APT8018JN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 690 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 468 nC
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1430 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: SOT227

 Аналог (замена) для APT8018JN

 

 

APT8018JN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  apt
 apt8018jn.pdf

APT8018JN APT8018JN

DGAPT8018JN 800V 40A 0.18S"UL Recognized" File No. E145592 (S)ISOTOPPOWER MOS IVSINGLE DIE ISOTOP PACKAGEN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.APTSymbol Parameter 8018JN UNITVDSS Drain-Source Voltage800 VoltsID Continuous Drain Current @ TC = 25C40AmpsIDM, lLM Pulsed D

 7.1. Size:133K  apt
 apt8018l2vfrg.pdf

APT8018JN APT8018JN

APT8018L2VFR800V 43A 0.180L2VFR POWER MOS V FREDFETTO-264Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementMaxmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Pa

 7.2. Size:77K  apt
 apt8018l2vr.pdf

APT8018JN APT8018JN

APT8018L2VR800V 43A 0.180WPOWER MOS VTO-264MaxPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Package 100% Avalanche TestedD

 7.3. Size:77K  apt
 apt8018.pdf

APT8018JN APT8018JN

APT8018L2VR800V 43A 0.180WPOWER MOS VTO-264MaxPower MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Package 100% Avalanche TestedD

 7.4. Size:131K  apt
 apt8018l2vfr.pdf

APT8018JN APT8018JN

APT8018L2VFR800V 43A 0.180L2VFR POWER MOS V FREDFETTO-264Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancementMaxmode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect,increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS Valso achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Pa

Другие MOSFET... APT6045BVR , APT6045CVR , APT6045SVR , APT60M75JVR , APT60M75PVR , APT60M90JN , APT8015JVFR , APT8015JVR , 5N50 , APT8028JVR , APT802R4KN , APT8030B2VFR , APT8030B2VR , APT8030JN , APT8030JVFR , APT8030JVR , APT8030LVFR .

 

 
Back to Top