APT8018JN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APT8018JN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 690 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: SOT227

Аналог (замена) для APT8018JN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APT8018JN даташит

 ..1. Size:60K  apt
 apt8018jn.pdf pdf_icon

APT8018JN

D G APT8018JN 800V 40A 0.18 S "UL Recognized" File No. E145592 (S) ISOTOP POWER MOS IV SINGLE DIE ISOTOP PACKAGE N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. APT Symbol Parameter 8018JN UNIT VDSS Drain-Source Voltage 800 Volts ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 40 Amps IDM, lLM Pulsed D

 7.1. Size:133K  apt
 apt8018l2vfrg.pdf pdf_icon

APT8018JN

APT8018L2VFR 800V 43A 0.180 L2VFR POWER MOS V FREDFET TO-264 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement Max mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Pa

 7.2. Size:77K  apt
 apt8018l2vr.pdf pdf_icon

APT8018JN

APT8018L2VR 800V 43A 0.180W POWER MOS V TO-264 Max Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Package 100% Avalanche Tested D

 7.3. Size:77K  apt
 apt8018.pdf pdf_icon

APT8018JN

APT8018L2VR 800V 43A 0.180W POWER MOS V TO-264 Max Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. TO-264 MAX Package 100% Avalanche Tested D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT6045BVR, APT6045CVR, APT6045SVR, APT60M75JVR, APT60M75PVR, APT60M90JN, APT8015JVFR, APT8015JVR, 60N06, APT8028JVR, APT802R4KN, APT8030B2VFR, APT8030B2VR, APT8030JN, APT8030JVFR, APT8030JVR, APT8030LVFR