IPI26CN10NG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IPI26CN10NG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IPI26CN10NG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IPI26CN10NG даташит
ipb26cn10ng ipd25cn10ng ipi26cn10ng ipp26cn10ng.pdf
IPB26CN10N G IPD25CN10N G IPI26CN10N G IPP26CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max (TO252) 25 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 35 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)
ipb26cn10n-g ipd25cn10n-g ipi26cn10n-g ipp26cn10n-g ipu25cn10n-g.pdf
IPB26CN10N G IPD25CN10N G IPI26CN10N G IPP26CN10N G IPU25CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R 25 m DS(on),max (TO252) Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 35 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified accordi
ipi26cn10n.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IPI26CN10N FEATURES With To-262 package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 1
Другие IGBT... IPI120N06S4-02, IPI120N06S4-H1, IPI126N10N3G, IPI139N08N3G, IPI147N12N3G, IPI180N10N3G, IPI200N15N3G, IPI200N25N3G, 13N50, IPI320N20N3G, IPI35CN10NG, IPI50CN10NG, IPI50R140CP, IPI50R199CP, IPI50R250CP, IPI50R299CP, IPI50R350CP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CM4407 | CM3407 | CM3400 | SVF11N65F | SVF11N65T | FKBB3105 | EHBA036R1 | CRTT067N10N | AP6NA3R2MT | AP65SA145DDT8 | AP4NAR95CMT-A | AP4024GEMT-HF | AP3P050AH | AP3P020H | AP3N9R5YT | AP3N9R5MT
Popular searches
d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181


