Справочник MOSFET. IPP057N06N3G

 

IPP057N06N3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP057N06N3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IPP057N06N3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP057N06N3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:689K  infineon
 ipb054n06n3g ipp057n06n3g.pdf pdf_icon

IPP057N06N3G

pe IPB054N06N3 G IPP057N06N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 R 4 m , ?> =1H ,& Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI DQ H35>5?B=1

 3.1. Size:691K  infineon
 ipp057n06n3 ipb054n06n3 ipp057n06n3 ipb057n06n3.pdf pdf_icon

IPP057N06N3G

pe IPB054N06N3 G IPP057N06N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D Q #4513I CG9D389>7 1>4 CI>3 B53 R 4 m , ?> =1H ,& Q ( @D9=9J54 D538>?F5BD5BCI DQ H35>5?B=1

 3.2. Size:246K  inchange semiconductor
 ipp057n06n3.pdf pdf_icon

IPP057N06N3G

isc N-Channel MOSFET Transistor IPP057N06N3 IIPP057N06N3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 5.7mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONIdeal for high frequency switchingOptimized technology for DC/DC convertersABSOLUTE M

 6.1. Size:526K  infineon
 ipp057n08n3-g ipi057n08n3-g ipb054n08n3-g.pdf pdf_icon

IPP057N06N3G

IPP057N08N3 G IPI057N08N3 GIPB054N08N3 GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 80 VDS N-channel, normal levelR 5.4mDS(on),max (SMD) Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)I 80 AD Very low on-resistance RDS(on)previous engineering 175 C operating temperaturesample codes:IPP06CN08N Pb-free lead plating; RoHS complia

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IPP045N10N3G , IPP048N04NG , IPP048N12N3G , IPP04CN10NG , IPP04N03LBG , IPP052N06L3G , IPP052NE7N3G , IPP055N03LG , 13N50 , IPP057N08N3G , IPP05CN10LG , IPP05CN10NG , IPP062NE7N3G , IPP065N03LG , IPP065N04NG , IPP065N06LG , IPP06CN10LG .

History: IPP034N08N5 | IPN50R3K0CE | SML50A21 | SST80R1K3S | IPP041N04N | IPLU250N04S4-1R7 | SK50N06A

 

 
Back to Top

 


 
.