Справочник MOSFET. IPP080N03LG

 

IPP080N03LG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPP080N03LG
   Маркировка: 080N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IPP080N03LG

 

 

IPP080N03LG Datasheet (PDF)

 4.1. Size:728K  infineon
ipp080n03l .pdf

IPP080N03LG IPP080N03LG

Type IPP080N03L GIPB080N03L G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 8.0mWDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

 4.2. Size:323K  infineon
ipp080n03l.pdf

IPP080N03LG IPP080N03LG

Type IPP080N03L GIPB080N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeatures .V 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 8.0mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R

 4.3. Size:246K  inchange semiconductor
ipp080n03l.pdf

IPP080N03LG IPP080N03LG

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP080N03LIIPP080N03LFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.0mEnhancement mode:Vth =1.0 to 2.2V (VDS = 0 V, ID=250A)Fast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top