Справочник MOSFET. IPP080N06NG

 

IPP080N06NG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPP080N06NG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IPP080N06NG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:739K  infineon
ipb080n06ng ipp080n06ng.pdfpdf_icon

IPP080N06NG

IPB080N06N G IPP080N06N G Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV D P &?F 71C5 381A75 6?A 61BC BF9C389>7 1@@BR 7 7 m , ?> =1G ,' E5AB9?>P ( 381>>581>35=5>C >?A=1

 6.1. Size:728K  infineon
ipp080n03l .pdfpdf_icon

IPP080N06NG

Type IPP080N03L GIPB080N03L G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 8.0mWDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

 6.2. Size:323K  infineon
ipp080n03l.pdfpdf_icon

IPP080N06NG

Type IPP080N03L GIPB080N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeatures .V 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 8.0mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R

 6.3. Size:246K  inchange semiconductor
ipp080n03l.pdfpdf_icon

IPP080N06NG

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP080N03LIIPP080N03LFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 8.0mEnhancement mode:Vth =1.0 to 2.2V (VDS = 0 V, ID=250A)Fast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: PHB50N03LT | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | FM200TU-3A | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.