IPW50R140CP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPW50R140CP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для IPW50R140CP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPW50R140CP даташит

 ..1. Size:656K  infineon
ipw50r140cp.pdfpdf_icon

IPW50R140CP

IPW50R140CP TM C IMOSTM # A0

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
ipw50r140cp.pdfpdf_icon

IPW50R140CP

isc N-Channel MOSFET Transistor IPW50R140CP IIPW50R140CP FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.14 Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High Peak Current Capability ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volta

 7.1. Size:2210K  infineon
ipa50r190ce ipp50r190ce ipw50r190ce.pdfpdf_icon

IPW50R140CP

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 500V CoolMOS CE Power Transistor IPx50R190CE Data Sheet Rev. 2.0 Final Industrial & Multimarket 500V CoolMOS CE Power Transistor IPW50R190CE, IPP50R190CE, IPA50R190CE TO-247 TO-220 TO-220 FP 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the s

 7.2. Size:647K  infineon
ipw50r199cp.pdfpdf_icon

IPW50R140CP

IPW50R199CP TM C IMOSTM # A0

Другие IGBT... IPU039N03LG, IPU050N03LG, IPU060N03LG, IPU075N03LG, IPU090N03LG, IPU103N08N3G, IPU135N03LG, IPU135N08N3G, AON7403, IPW50R199CP, IPW50R250CP, IPW50R299CP, IPW50R350CP, IPW50R399CP, IPW60R041C6, IPW60R045CP, IPW60R045CPA