BF245A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BF245A

Тип транзистора: FET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.0065 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1000 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для BF245A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BF245A даташит

 ..1. Size:97K  philips
 bf245a bf245b bf245c 1.pdf pdf_icon

BF245A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF245A; BF245B; BF245C N-channel silicon field-effect transistors Product specification 1996 Jul 30 Supersedes data of April 1995 File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF245A; BF245B; BF245C FEATURES PINNING Interchangeability of drain and source connecti

 ..2. Size:24K  fairchild semi
 bf245a bf245b bf245c.pdf pdf_icon

BF245A

BF245A/BF245B/BF245C N-Channel Amplifiers This device is designed for VHF/UHF amplifiers. Sourced from process 50. TO-92 1 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VDG Drain-Gate Voltage 30 V VGS Gate-Source Voltage -30 V IGF Forward Gate Current 10 mA PD Total Device Dissipation @TA=25 C 350 mW Derate

 0.1. Size:67K  philips
 bf245a-bf245b-bf245c 2.pdf pdf_icon

BF245A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF245A; BF245B; BF245C N-channel silicon field-effect transistors Product specification 1996 Jul 30 Supersedes data of April 1995 File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon field-effect transistors BF245A; BF245B; BF245C FEATURES PINNING Interchangeability of drain and source connecti

 0.2. Size:286K  philips
 bf245a-b-c.pdf pdf_icon

BF245A

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BF245A; BF245B; BF245C N-channel silicon field-effect transistors Product specification 1996 Jul 30 Supersedes data of April 1995 NXP Semiconductors Product specification BF245A; BF245B; N-channel silicon field-effect transistors BF245C FEATURES PINNING Interchangeability of drain and source connections PIN SYMBOL DESCRIPTION Frequenc

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BF1101WR, BF1102, BF1105, BF1105R, BF1105WR, BF1109, BF1109R, BF1109WR, AON7408, BF245B, BF245C, BF327, BF350, BF351, BF352, BF353, BF410A