Справочник MOSFET. BF245C

 

BF245C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BF245C
   Тип транзистора: FET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.025 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1.1 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 100 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BF245C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:97K  philips
bf245a bf245b bf245c 1.pdfpdf_icon

BF245C

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF245A; BF245B; BF245CN-channel silicon field-effecttransistorsProduct specification 1996 Jul 30Supersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF245A; BF245B; BF245CFEATURES PINNING Interchangeability of drain and source connecti

 ..2. Size:24K  fairchild semi
bf245a bf245b bf245c.pdfpdf_icon

BF245C

BF245A/BF245B/BF245CN-Channel Amplifiers This device is designed for VHF/UHF amplifiers. Sourced from process 50.TO-9211. Gate 2. Source 3. DrainAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDG Drain-Gate Voltage 30 VVGS Gate-Source Voltage -30 VIGF Forward Gate Current 10 mAPD Total Device Dissipation @TA=25C 350 mWDerate

 0.1. Size:67K  philips
bf245a-bf245b-bf245c 2.pdfpdf_icon

BF245C

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF245A; BF245B; BF245CN-channel silicon field-effecttransistorsProduct specification 1996 Jul 30Supersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon field-effect transistors BF245A; BF245B; BF245CFEATURES PINNING Interchangeability of drain and source connecti

 9.1. Size:286K  philips
bf245a-b-c.pdfpdf_icon

BF245C

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBF245A; BF245B; BF245CN-channel silicon field-effect transistorsProduct specification 1996 Jul 30Supersedes data of April 1995NXP Semiconductors Product specificationBF245A; BF245B;N-channel silicon field-effect transistorsBF245CFEATURES PINNING Interchangeability of drain and source connectionsPIN SYMBOL DESCRIPTION Frequenc

Другие MOSFET... BF1105 , BF1105R , BF1105WR , BF1109 , BF1109R , BF1109WR , BF245A , BF245B , IRF1010E , BF327 , BF350 , BF351 , BF352 , BF353 , BF410A , BF410B , BF410C .

History: NP84N055KLE | WSP4953A | SSM6J512NU | 2N4338 | SI1402DH | WMB080N10LG2 | PSMN0R9-25YLC

 

 
Back to Top

 


 
.