SPA04N80C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPA04N80C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO220FP

Аналог (замена) для SPA04N80C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPA04N80C3 даташит

 ..1. Size:426K  infineon
 spa04n80c3.pdf pdf_icon

SPA04N80C3

SPA04N80C3 CoolMOSTM Power Transistor Product Summary Features V 800 V DS New revolutionary high voltage technology R @ Tj = 25 C 1.3 DS(on)max Extreme dv/dt rated Q 23 nC g,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge Ultra low effective capaci

 ..2. Size:255K  inchange semiconductor
 spa04n80c3.pdf pdf_icon

SPA04N80C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPA04N80C3 FEATURES With TO-220F packaging High speed switching Low gate input resistance Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL

 8.1. Size:289K  1
 spa04n50c3 spb04n50c3 spp04n50c3.pdf pdf_icon

SPA04N80C3

SPP04N50C3, SPB04N50C3 Final data SPA04N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technology ID 4.5 A Ultra low gate charge P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 Ultra low effective capacitances 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance

 8.2. Size:304K  infineon
 spp04n60c3 spb04n60c3 spa04n60c3.pdf pdf_icon

SPA04N80C3

SPP04N60C3, SPB04N60C3 Final data SPA04N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 0.95 New revolutionary high voltage technology ID 4.5 A Ultra low gate charge P-TO220-3-31 P-TO263-3-2 P-TO220-3-1 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated 3 High peak current capability 2 1 P-TO220-3-31 Improved transconductance P-TO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPW90R1K2C3, IPW90R340C3, IPW90R500C3, IPW90R800C3, SPA02N80C3, SPA03N60C3, SPA04N50C3, SPA04N60C3, 2SK3878, SPA06N60C3, SPA06N80C3, SPA07N60C3, SPA07N60CFD, SPA07N65C3, SPA08N50C3, SPA08N80C3, SPA11N60C3