SPD08P06PG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SPD08P06PG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.83 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SPD08P06PG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SPD08P06PG даташит
spd08p06pg.pdf
SPD08P06P G SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V -60 V DS P-Channel R 0.3 DS(on),max Enhancement mode I -8.8 A D Avalanche rated dv /dt rated PG-TO252-3 175 C operating temperature Pb-free lead finishing; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Type Package Tape and reel information Marking Lead free Packing SPD08P06PG
spd08p06p g.pdf
SPD08P06P G SIPMOS Power-Transistor Product Summary Features V -60 V DS P-Channel R 0.3 DS(on),max Enhancement mode I -8.8 A D Avalanche rated dv /dt rated PG-TO252-3 175 C operating temperature Pb-free lead finishing; RoHS compliant Type Package Tape and reel information Marking Lead free Packing SPD08P06PG PG-TO252-3 1000 pcs / reel 08P06P Ye
spd08p05.pdf
SPD08P05 Preliminary data SPU08P05 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code SPD08P05 -50 V -8 A 0.3 P-TO252 Q67000-. . . - . . . SPU08P05 -50 V -8 A 0.3 P-TO251 Q67000-. . . - . . . Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 30
spd08n50c3.pdf
SPD08N50C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 560 V Feature RDS(on) 0.6 New revolutionary high voltage technology ID 7.6 A Worldwide best RDS(on) in TO-252 PG-TO252 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking SPD08N50C3 PG-TO25
Другие IGBT... SPD04P10PG, SPD04P10PLG, SPD06N60C3, SPD06N80C3, SPD07N20G, SPD07N60C3, SPD07N60S5, SPD08N50C3, 60N06, SPD09P06PLG, SPD15P10PG, SPD15P10PLG, SPD18P06PG, SPD30N03S2L-07G, SPD30N03S2L-10G, SPD30N03S2L-20G, SPD30P06PG
History: IPD180N10N3G | 1N60G-TMS2-T | 17P10L-TF2-T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUW033N08BG | AUW025N10 | AUR030N10 | AUR020N10 | AUR020N085 | AUR014N10 | AUP074N10 | AUP065N10 | AUP062N08BG | AUP060N08AG | HYG053N10NS1B | HYG053N10NS1P | AP220N04T | AP220N04P | QM3126M3 | AUP060N055
Popular searches
2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet






