SPD30N03S2L-07G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPD30N03S2L-07G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 740 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0098 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SPD30N03S2L-07G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPD30N03S2L-07G даташит

 ..1. Size:651K  infineon
 spd30n03s2l-07.pdf pdf_icon

SPD30N03S2L-07G

SPD30N03S2L-07 G OptiMOS Power-Transistor Product Summary Feature VDS N-Channel 30 V Enhancement mode RDS(on) 6.7 m Logic Level ID 30 A PG-TO252-3 Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated . Pb-free lead plating; RoHS compliant Type Package Marking

 2.1. Size:631K  infineon
 spd30n03s2l-10 .pdf pdf_icon

SPD30N03S2L-07G

SPD30N03S2L-10 G OptiMOS Power-Transistor Feature Product Summary N-Channel VDS 30 V Enhancement mode RDS(on) 10 m Logic Level ID 30 A PG-TO252-3 Low On-Resistance RDS(on) Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS complian

 2.2. Size:682K  infineon
 spd30n03s2l-20.pdf pdf_icon

SPD30N03S2L-07G

G SPD30N03S2L-20 OptiMOS Power-Transistor Feature Product Summary N-Channel VDS 30 V Enhancement mode RDS(on) 20 m Logic Level ID 30 A PG- TO252 -3 Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS compliant Marking Type Package

 2.3. Size:586K  infineon
 spd30n03s2l-10.pdf pdf_icon

SPD30N03S2L-07G

SPD30N03S2L-10 G OptiMOS Power-Transistor Feature Product Summary N-Channel VDS 30 V Enhancement mode RDS(on) 10 m Logic Level ID 30 A PG-TO252-3 Low On-Resistance RDS(on) Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Pb-free lead plating; RoHS complian

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPD07N60C3, SPD07N60S5, SPD08N50C3, SPD08P06PG, SPD09P06PLG, SPD15P10PG, SPD15P10PLG, SPD18P06PG, IRF3205, SPD30N03S2L-10G, SPD30N03S2L-20G, SPD30P06PG, SPD50N03S2-07G, SPD50N03S2L-06G, SPD50P03LG, SPI80N06S-08, SPI07N60C3