Справочник MOSFET. SPP15P10PLH

 

SPP15P10PLH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPP15P10PLH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 128 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 272 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SPP15P10PLH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPP15P10PLH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:761K  infineon
spp15p10pl spp15p10plh.pdfpdf_icon

SPP15P10PLH

SPP15P10PLH SIPMOS Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -100 VDS P-ChannelR 0.20DS(on),max Enhancement modeI -15 AD logic level Avalanche ratedPG-TO220-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Qualified according to AEC Q101 Type Package Marking Lead free PackingSPP15P10PL H PG-TO220-3

 5.1. Size:639K  1
spd15p10pg spp15p10pg.pdfpdf_icon

SPP15P10PLH

SPP15P10P GSPD15P10P GSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV -100 VDS P-ChannelR 0.24DS(on),max Enhancement modeI -15 AD Normal level Avalanche ratedPG-TO220-3 PG-TO252-3 Pb-free lead plating; RoHS compliantType Package Marking Lead free PackingSPP15P10P G PG-TO220-3 15P10P Yes Non drySPD15P10P G PG-TO252-3 15P10P Yes N

 5.2. Size:824K  infineon
spp15p10p spp15p10ph.pdfpdf_icon

SPP15P10PLH

SPP15P10P HSIPMOS Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV -100 VDS P-ChannelR 0.24DS(on),max Enhancement modeI -15 AD Normal level Avalanche ratedPG-TO220-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249_2_21 Qualified according to AEC Q101 Type Package Marking Lead free PackingSPP15P10PH PG-

 5.3. Size:243K  inchange semiconductor
spp15p10p.pdfpdf_icon

SPP15P10PLH

isc P-Channel MOSFET Transistor SPP15P10PISPP15P10PFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.24Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONCombine with the fast switching speed and ruggedized devicedesign,provide the designer with an extremely efficient and

Другие MOSFET... SPP11N60S5 , SPP11N65C3 , SPP11N80C3 , SPP12N50C3 , SPP15N60C3 , SPP15N60CFD , SPP15N65C3 , SPP15P10PG , IRF1407 , SPP16N50C3 , SPP17N80C3 , SPP18P06PH , SPP20N60C3 , SPP20N60CFD , SPP20N60S5 , SPP20N65C3 , SPP21N50C3 .

History: CSFR3N60LP | AP10N4R5S

 

 
Back to Top

 


 
.