Справочник MOSFET. SPP17N80C3

 

SPP17N80C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPP17N80C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SPP17N80C3

 

 

SPP17N80C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:977K  infineon
 spp17n80c3 spa17n80c3.rev.2.7.pdf

SPP17N80C3 SPP17N80C3

SPP17N80C3SPA17N80C3Cool MOS Power TransistorVDS800 VFeatureRDS(on) 0.29 New revolutionary high voltage technologyID 17 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO220-3-31 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated3 Extreme dv/dt rated21P-TO220-3-31 Ultra low effective capacitances Improved transconductance PG-TO-22

 ..2. Size:491K  infineon
 spp17n80c3.pdf

SPP17N80C3 SPP17N80C3

SPP17N80C3CoolMOS Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 800 VDS New revolutionary high voltage technologyR @ Tj = 25C 0.29DS(on)max Extreme dv/dt ratedQ 88 nCg,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TO220-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge Ultra low eff

 ..3. Size:779K  infineon
 spp17n80c3 spa17n80c3.pdf

SPP17N80C3 SPP17N80C3

SPP17N80C3SPA17N80C3Cool MOS Power TransistorVDS800 VFeatureRDS(on) 0.29 New revolutionary high voltage technologyID 17 A Worldwide best RDS(on) in TO 220PG-TO220-3-31 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated3 Extreme dv/dt rated21P-TO220-3-31 Ultra low effective capacitances Improved transconductance PG-TO-22

 ..4. Size:248K  inchange semiconductor
 spp17n80c3.pdf

SPP17N80C3 SPP17N80C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP17N80C3ISPP17N80C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 0.29Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONHigh peak current capabilityUltra low gate chargeUltra low effective capacitancesABS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top