SPP17N80C3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SPP17N80C3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для SPP17N80C3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPP17N80C3 даташит

 ..1. Size:977K  infineon
 spp17n80c3 spa17n80c3.rev.2.7.pdf pdf_icon

SPP17N80C3

SPP17N80C3 SPA17N80C3 Cool MOS Power Transistor VDS 800 V Feature RDS(on) 0.29 New revolutionary high voltage technology ID 17 A Worldwide best RDS(on) in TO 220 PG-TO220-3-31 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated 3 Extreme dv/dt rated 2 1 P-TO220-3-31 Ultra low effective capacitances Improved transconductance PG-TO-22

 ..2. Size:491K  infineon
 spp17n80c3.pdf pdf_icon

SPP17N80C3

SPP17N80C3 CoolMOS Power Transistor Product Summary Features V 800 V DS New revolutionary high voltage technology R @ Tj = 25 C 0.29 DS(on)max Extreme dv/dt rated Q 88 nC g,typ High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TO220-3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Ultra low gate charge Ultra low eff

 ..3. Size:779K  infineon
 spp17n80c3 spa17n80c3.pdf pdf_icon

SPP17N80C3

SPP17N80C3 SPA17N80C3 Cool MOS Power Transistor VDS 800 V Feature RDS(on) 0.29 New revolutionary high voltage technology ID 17 A Worldwide best RDS(on) in TO 220 PG-TO220-3-31 PG-TO220 Ultra low gate charge Periodic avalanche rated 3 Extreme dv/dt rated 2 1 P-TO220-3-31 Ultra low effective capacitances Improved transconductance PG-TO-22

 ..4. Size:248K  inchange semiconductor
 spp17n80c3.pdf pdf_icon

SPP17N80C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPP17N80C3 ISPP17N80C3 FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 0.29 Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION High peak current capability Ultra low gate charge Ultra low effective capacitances ABS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SPP11N80C3, SPP12N50C3, SPP15N60C3, SPP15N60CFD, SPP15N65C3, SPP15P10PG, SPP15P10PLH, SPP16N50C3, AO4407, SPP18P06PH, SPP20N60C3, SPP20N60CFD, SPP20N60S5, SPP20N65C3, SPP21N50C3, SPP24N60C3, SPP24N60CFD