SPW32N50C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPW32N50C3
Маркировка: 32N50C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 284 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 32 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 170 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 1700 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для SPW32N50C3
SPW32N50C3 Datasheet (PDF)
spw32n50c3.pdf
SPW32N50C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 560 VFeatureRDS(on) 0.11 New revolutionary high voltage technologyID 32 A Ultra low gate chargePG-TO247 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitances Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPW32N50C3 PG-TO247 Q67040-S4613 32N50C3Maximum Rating
spw32n50c3.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor SPW32N50C3ISPW32N50C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)110mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved TransconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 50
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
