Справочник MOSFET. SPW35N60CFD

 

SPW35N60CFD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPW35N60CFD
   Маркировка: 35N60CFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 163 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1400 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.118 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SPW35N60CFD

 

 

SPW35N60CFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:943K  infineon
 spw35n60cfd.pdf

SPW35N60CFD SPW35N60CFD

SPW35N60CFDTMCIMOSTM $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeaturesD DU * 9K F9JC@IH=CB5FM

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 spw35n60cfd.pdf

SPW35N60CFD SPW35N60CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW35N60CFDISPW35N60CFDFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)118mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volta

 5.1. Size:760K  infineon
 spw35n60c3.pdf

SPW35N60CFD SPW35N60CFD

SPW35N60C3CoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV @ T 650 VDS j,max New revolutionary high voltage technologyR 0.1DS(on),max Ultra low gate chargeI 34.6 AD Periodic avalanche rated Extreme dv /dt rated Ultra low effective capacitancesPG-TO247 Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPW35N60C3 PG-TO247 Q6704

 5.2. Size:244K  inchange semiconductor
 spw35n60c3.pdf

SPW35N60CFD SPW35N60CFD

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW35N60C3ISPW35N60C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)100mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved TransconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 60

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top