Справочник MOSFET. SPW47N60C3

 

SPW47N60C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SPW47N60C3
   Маркировка: 47N60C3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 415 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 252 nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SPW47N60C3

 

 

SPW47N60C3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:828K  infineon
 spw47n60c3.pdf

SPW47N60C3 SPW47N60C3

VDS Tjmax G G

 ..2. Size:244K  inchange semiconductor
 spw47n60c3.pdf

SPW47N60C3 SPW47N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW47N60C3ISPW47N60C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)70mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved TransconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600

 5.1. Size:616K  infineon
 spw47n60cfd.pdf

SPW47N60C3 SPW47N60C3

SPW47N60CFDTMCIMOSTM "9@/; %;+877+;BFeatures V - R (7H C7GA>FE;A@3CJ :;9: GA>E397 E75:@A>A9JDS(on) maxR $@EC;@D;5 83DE C75AG7CJ 4A6J 6;A67 46 A46DR IEC7?7>J >AH C7G7CD7 C75AG7CJ 5:3C97R / >EC3 >AH 93E7 5:3C97PGTO247R IEC7?7 6v /dt C3E76/dR #;9: B73= 5FCC7@E 53B34;>;EJR *7C;A6;5 3G3>3@5:7 C3E76R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA % R *4 8C77

 5.2. Size:243K  inchange semiconductor
 spw47n60cfd.pdf

SPW47N60C3 SPW47N60C3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor SPW47N60CFDISPW47N60CFDFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)83mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Peak Current CapabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI

 7.1. Size:737K  infineon
 spw47n65c3.pdf

SPW47N60C3 SPW47N60C3

SPW47N65C3CoolMOSTM Power TransistorProduct SummaryFeaturesV 650 VDS Worldwide best R in TO247ds,onR 0.07DS(on),max Low gate chargeQ 255 nCg,typ Extreme dv/dt rated High peak current capability Qualified according to JEDEC1) for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliantPG-TO247-3-1Type Package MarkingSPW47N65C3 PG-TO247

 7.2. Size:245K  inchange semiconductor
 spw47n65c3.pdf

SPW47N60C3 SPW47N60C3

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW47N65C3ISPW47N65C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)70mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITION High peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top