SPW47N60C3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SPW47N60C3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 415 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2200 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO247
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SPW47N60C3 Datasheet (PDF)
spw47n60c3.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor SPW47N60C3ISPW47N60C3FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)70mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONImproved TransconductanceABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600
spw47n60cfd.pdf

SPW47N60CFDTMCIMOSTM "9@/; %;+877+;BFeatures V - R (7H C7GA>FE;A@3CJ :;9: GA>E397 E75:@A>A9JDS(on) maxR $@EC;@D;5 83DE C75AG7CJ 4A6J 6;A67 46 A46DR IEC7?7>J >AH C7G7CD7 C75AG7CJ 5:3C97R / >EC3 >AH 93E7 5:3C97PGTO247R IEC7?7 6v /dt C3E76/dR #;9: B73= 5FCC7@E 53B34;>;EJR *7C;A6;5 3G3>3@5:7 C3E76R + F3>;8;76 355AC6;@9 EA % R *4 8C77
spw47n60cfd.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor SPW47N60CFDISPW47N60CFDFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)83mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Peak Current CapabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNI
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .