BF556C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BF556C
Тип транзистора: FET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.018 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 0.8 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 300 Ohm
Тип корпуса: SOT23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BF556C Datasheet (PDF)
bf556a bf556b bf556c 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF556A; BF556B; BF556CN-channel silicon junctionfield-effect transistorsProduct specification 1996 Jul 29Supersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon junctionBF556A; BF556B; BF556Cfield-effect transistorsFEATURES Low leakage level (typ. 500 fA)ha
bf556a bf556b bf556c.pdf

BF556A; BF556B; BF556CN-channel silicon junction field-effect transistorsRev. 03 5 August 2004 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionN-channel symmetrical silicon junction field-effect transistors in a SOT23 package.CAUTIONThis device is sensitive to electrostatic discharge (ESD). Therefore care should be takenduring transport and handling.MSC8951.2
bf556a.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBF556A; BF556B; BF556CN-channel silicon junctionfield-effect transistorsProduct specification 1996 Jul 29Supersedes data of April 1995File under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon junctionBF556A; BF556B; BF556Cfield-effect transistorsFEATURES Low leakage level (typ. 500 fA)ha
Другие MOSFET... BF511 , BF512 , BF513 , BF545A , BF545B , BF545C , BF556A , BF556B , IRF530 , BF805 , BF861A , BF861B , BF861C , BF862 , BF900 , BF901 , BF901R .
History: FDC608PZ | SI1402DH | RQ3E130MN | 2SK2778 | IRFP150FI | STM8300 | APT10050LVFR
History: FDC608PZ | SI1402DH | RQ3E130MN | 2SK2778 | IRFP150FI | STM8300 | APT10050LVFR



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement | 2n4249 | a1013 transistor | 2sc2705