IRF1324S-7P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF1324S-7P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 429 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 240 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3380 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
Тип корпуса: TO263-7
Аналог (замена) для IRF1324S-7P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF1324S-7P даташит
irf1324s-7ppbf.pdf
PD - 97263B IRF1324S-7PPbF HEXFET Power MOSFET D Applications VDSS 24V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 0.8m l Uninterruptible Power Supply max. 1.0m l High Speed Power Switching G ID (Silicon Limited) 429A l Hard Switched and High Frequency Circuits ID (Package Limited) 240A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt D
auirf1324s-7p.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1324S-7P Features VDSS 24V Advanced Process Technology RDS(on) typ. 0.8m Ultra Low On-Resistance max. 175 C Operating Temperature 1.0m Fast Switching ID (Silicon Limited) 429A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 240A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * Description
auirf1324strl.pdf
PD - 97483 AUIRF1324S AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1324L HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D VDSS 24V Ultra Low On-Resistance Dynamic dV/dT Rating RDS(on) typ. 1.3m 175 C Operating Temperature G ID (Silicon Limited) Fast Switching 340A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Package Limited) 195A Lead-Free, RoHS Compliant S Automotive Qua
irf1324lpbf irf1324spbf.pdf
PD - 97353A IRF1324SPbF IRF1324LPbF HEXFET Power MOSFET Applications D VDSS 24V l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS RDS(on) typ. 1.3m l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching max. 1.65m l Hard Switched and High Frequency Circuits G ID (Silicon Limited) 340A ID (Package Limited) 195A S Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynami
Другие IGBT... IRF1018E, IRF1018ES, IRF1018ESL, IRF1104L, IRF1104S, IRF1324, IRF1324L, IRF1324S, IRFB4227, IRF1404L, IRF1404S, IRF1404Z, IRF1404ZG, IRF1404ZL, IRF1404ZS, IRF1405, IRF1405L
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
irf9540n | bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor





