IRF1405ZL-7P - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IRF1405ZL-7P. Основные параметры


   Наименование производителя: IRF1405ZL-7P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0049 Ohm
   Тип корпуса: TO262-7
 

 Аналог (замена) для IRF1405ZL-7P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF1405ZL-7P даташит

 ..1. Size:319K  international rectifier
 irf1405zl-7ppbf irf1405zs-7ppbf.pdf pdf_icon

IRF1405ZL-7P

PD - 97206B IRF1405ZS-7PPbF IRF1405ZL-7PPbF HEXFET Power MOSFET Features l Advanced Process Technology D VDSS = 55V l Ultra Low On-Resistance l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 4.9m G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free S ID = 120A S (Pin 2, 3, 5, 6, 7) G (Pin 1) Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest pro

 5.1. Size:396K  international rectifier
 irf1405zlpbf irf1405zpbf irf1405zspbf.pdf pdf_icon

IRF1405ZL-7P

PD - 97018A IRF1405ZPbF IRF1405ZSPbF IRF1405ZLPbF Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 55V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 4.9m l Lead-Free G ID = 75A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve ex

 5.2. Size:396K  international rectifier
 irf1405zpbf irf1405zspbf irf1405zlpbf.pdf pdf_icon

IRF1405ZL-7P

PD - 97018A IRF1405ZPbF IRF1405ZSPbF IRF1405ZLPbF Features HEXFET Power MOSFET l Advanced Process Technology l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 55V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 4.9m l Lead-Free G ID = 75A Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve ex

 5.3. Size:345K  infineon
 auirf1405zs auirf1405zl.pdf pdf_icon

IRF1405ZL-7P

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF1405ZS AUIRF1405ZL HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology VDSS 55V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 4.9m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID 150A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * D D Description Specifically designed

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF1404ZG , IRF1404ZL , IRF1404ZS , IRF1405 , IRF1405L , IRF1405S , IRF1405Z , IRF1405ZL , AON7408 , IRF1405ZS , IRF1405ZS-7P , IRF1407 , IRF1407L , IRF1407S , IRF1503 , IRF1503S , IRF1607 .

 

 
Back to Top

 


 
.