IRF2804S-7P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF2804S-7P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 330 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 320 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1750 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm

Тип корпуса: TO263-7

Аналог (замена) для IRF2804S-7P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF2804S-7P даташит

 ..1. Size:280K  international rectifier
 irf2804s-7ppbf.pdf pdf_icon

IRF2804S-7P

PD - 97057A IRF2804S-7PPbF Features l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature l Fast Switching VDSS = 40V l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free G RDS(on) = 1.6m Description S This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest ID = 160A S (Pin 2, 3 ,5,6,7) processing techniques to achieve extr

 0.1. Size:355K  infineon
 auirf2804s-7p.pdf pdf_icon

IRF2804S-7P

AUIRF2804S-7P AUTOMOTIVE GRADE Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology VDSS 40V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) max. 1.6m Fast Switching ID (Silicon Limited) 320A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS Compliant ID (Package Limited) 240A Automotive Qualified * Desc

 6.1. Size:408K  international rectifier
 irf2804pbf irf2804spbf irf2804lpbf.pdf pdf_icon

IRF2804S-7P

PD - 95332B IRF2804PbF IRF2804SPbF IRF2804LPbF Features l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 40V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 2.0m l Lead-Free G ID = 75A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve e

 6.2. Size:408K  international rectifier
 irf2804lpbf irf2804pbf irf2804spbf.pdf pdf_icon

IRF2804S-7P

PD - 95332B IRF2804PbF IRF2804SPbF IRF2804LPbF Features l Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance D l 175 C Operating Temperature VDSS = 40V l Fast Switching l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 2.0m l Lead-Free G ID = 75A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve e

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF1607, IRF1902, IRF2204, IRF2204L, IRF2204S, IRF2804, IRF2804L, IRF2804S, 12N60, IRF2805, IRF2805L, IRF2805S, IRF2807Z, IRF2807ZL, IRF2807ZS, IRF2903Z, IRF2903ZL