IRF3710Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRF3710Z
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для IRF3710Z
IRF3710Z Datasheet (PDF)
irf3710z.pdf

PD - 94632IRF3710ZAUTOMOTIVE MOSFETHEXFET Power MOSFETFeaturesD Advanced Process TechnologyVDSS = 100V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 18m 175C Operating TemperatureG Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxID = 59ASDescriptionSpecifically designed for Automotive applications, this HEXFET PowerMOSFET utilizes th
irf3710zlpbf irf3710zpbf irf3710zspbf.pdf

PD - 95466AIRF3710ZPbFIRF3710ZSPbFFeaturesIRF3710ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureDVDSS = 100V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeRDS(on) = 18mGDescriptionID = 59A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestSprocessing techn
irf3710zpbf irf3710zspbf irf3710zlpbf.pdf

PD - 95466AIRF3710ZPbFIRF3710ZSPbFFeaturesIRF3710ZLPbF Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureDVDSS = 100V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-FreeRDS(on) = 18mGDescriptionID = 59A This HEXFET Power MOSFET utilizes the latestSprocessing techn
irf3710z.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF3710ZIIRF3710ZFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 18mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIMUM
Другие MOSFET... IRF3708S , IRF3709 , IRF3709L , IRF3709S , IRF3709Z , IRF3709ZCS , IRF3709ZL , IRF3709ZS , AON7403 , IRF3710ZG , IRF3710ZL , IRF3710ZS , IRF3711Z , IRF3711ZCS , IRF3711ZL , IRF3711ZS , IRF3717 .
History: AF10N65S | DMN601DMK | NTLJS4114NT1G | 2SK699 | NTMFS4946N | PHB27NQ10T | NTMFS4943NT1G
History: AF10N65S | DMN601DMK | NTLJS4114NT1G | 2SK699 | NTMFS4946N | PHB27NQ10T | NTMFS4943NT1G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
d882 transistor | 2n3771 | s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733