IRF640N datasheet, аналоги, основные параметры

IRF640N - это N-канальный MOSFET, созданный для быстрого переключения и эффективного управления мощностью. По сути, это улучшенная версия IRF640.

Основные параметры (почему он хорош):
- Низкое сопротивление: Всего 0,15 Ома в открытом состоянии. Это значит, что при протекании тока он очень слабо греется, и потери энергии минимальны.
- Мощный: Способен непрерывно пропускать ток до 18 ампер.
- Высоковольтный: Работает с напряжением до 200 вольт между стоком и истоком.
- Удобное управление: Порог открывания — от 2 до 4 вольт. Это позволяет легко управлять им напрямую от выходов микроконтроллеров или цифровых схем (логический уровень).
- Корпус: Классический TO220. Удобно паять и обязательно крепить на радиатор для отвода тепла.

Главные преимущества:
- Высокая эффективность: Маленькое сопротивление (RDS(on)) + быстрая работа = меньше энергии тратится впустую на нагрев.
- Быстрая работа: Отлично подходит для схем, где важна частота переключения.
- Универсальность и надёжность: Проверенный временем компонент с хорошим запасом прочности.

Где его чаще всего используют:
- Импульсные блоки питания.
- Системы управления двигателями (драйверы моторов).
- DC-DC преобразователи (повышающие, понижающие).
- Различные силовые ключевые схемы в электронике.

Практический совет:
Несмотря на хорошую термостабильность, при работе с большими токами (близкими к 18А) качественный радиатор обязателен. Без него транзистор быстро перегреется и выйдет из строя.

Наименование производителя: IRF640N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF640N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF640N даташит

 ..1. Size:155K  international rectifier
 irf640n.pdf pdf_icon

IRF640N

PD - 94006 IRF640N IRF640NS IRF640NL Advanced Process Technology HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating D 175 C Operating Temperature VDSS = 200V Fast Switching Fully Avalanche Rated RDS(on) = 0.15 Ease of Paralleling G Simple Drive Requirements Description ID = 18A Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from S International Rectifier utilize advanced processi

 ..2. Size:336K  international rectifier
 irf640nlpbf irf640npbf irf640nspbf.pdf pdf_icon

IRF640N

PD - 95046A IRF640NPbF IRF640NSPbF l Advanced Process Technology IRF640NLPbF l Dynamic dv/dt Rating HEXFET Power MOSFET l 175 C Operating Temperature l Fast Switching D VDSS = 200V l Fully Avalanche Rated l Ease of Paralleling l Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15 G l Lead-Free Description ID = 18A Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from S International Rectif

 ..3. Size:336K  international rectifier
 irf640npbf irf640nspbf irf640nlpbf.pdf pdf_icon

IRF640N

PD - 95046A IRF640NPbF IRF640NSPbF l Advanced Process Technology IRF640NLPbF l Dynamic dv/dt Rating HEXFET Power MOSFET l 175 C Operating Temperature l Fast Switching D VDSS = 200V l Fully Avalanche Rated l Ease of Paralleling l Simple Drive Requirements RDS(on) = 0.15 G l Lead-Free Description ID = 18A Fifth Generation HEXFET Power MOSFETs from S International Rectif

 ..4. Size:723K  cn evvo
 irf640n.pdf pdf_icon

IRF640N

IRF640N N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs Product Summary Super Low Gate Charge Green Device Available Excellent Cdv/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench 200V 170m 18A technology Description TO220 Pin Configuration The IRF640N is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excel

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRF540ZL, IRF540ZS, IRF5801, IRF5802, IRF6201, IRF630N, IRF630NL, IRF630NS, IRF640N, IRF640NL, IRF640NS, IRF6603, IRF6604, IRF6607, IRF6608, IRF6609, IRF6610